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楼主: 新安江
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华硕M4A77T不停复位讨论!

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21#
发表于 2015-1-19 13:56:31 | 只看该作者 来自: 四川成都 来自 四川成都
“但为什么最高只有1.72V左右而不是3.3V、最低不是0V而是约0.4V呢?”
即使按版主的思路分析,箭头所指点也应该0-3.3V变化,造成1.4-1.72V变化的根本原因还是MCE1,MQ3性能不好漏电与MOR1将3.3V分压所致。

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你没仔细看清楚我上面的分析。  详情 回复 发表于 2015-1-19 14:31
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22#
发表于 2015-1-19 14:31:21 | 只看该作者 来自: 安徽黄山 来自 安徽黄山
本帖最后由 新安江 于 2015-1-19 14:32 编辑
ytg689 发表于 2015-1-19 13:56
“但为什么最高只有1.72V左右而不是3.3V、最低不是0V而是约0.4V呢?”
即使按版主的思路分析,箭头所指点 ...

你没仔细看清楚我上面的分析。
整个MEMORY_OK电路外围所有元件都检查并代换过

点评

按照版主的分析,我也仔细分析过,可以说合情合理,但我的分析没你那个复杂。还有下面关键问题你没回答。 “最新进展:直接短路MQ2后开机,显示正常,即人为使MEMOK置高电平。” 希望测一下此时MEMORY-OK  详情 回复 发表于 2015-1-19 15:01
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23#
发表于 2015-1-19 15:01:22 | 只看该作者 来自: 四川成都 来自 四川成都
新安江 发表于 2015-1-19 14:31
你没仔细看清楚我上面的分析。
整个MEMORY_OK电路外围所有元件都检查并代换过

按照版主的分析,我也仔细分析过,可以说合情合理,但我的分析没你那个复杂。还有下面关键问题你没回答。



“最新进展:直接短路MQ2后开机,显示正常,即人为使MEMOK置高电平。”

希望测一下此时MEMORY-OK的电压,是否稳定?是多少伏?本人猜测应该是高电平。

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高电平稳定3.3V  详情 回复 发表于 2015-1-19 16:40
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24#
发表于 2015-1-19 16:40:51 | 只看该作者 来自: 安徽黄山 来自 安徽黄山
ytg689 发表于 2015-1-19 15:01
按照版主的分析,我也仔细分析过,可以说合情合理,但我的分析没你那个复杂。还有下面关键问题你没回答。 ...

高电平稳定3.3V

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这就很能说明问题了,1.4-1.72V变化,不是你所说的由于不断复位造成的,而是MEMORY-OK信号后面造成的,建议分析MQ3,MQ2的工作条件,请提供它们的型号以便进一步分析。  详情 回复 发表于 2015-1-19 16:53
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25#
发表于 2015-1-19 16:53:16 | 只看该作者 来自: 四川成都 来自 四川成都

这就很能说明问题了,1.4-1.72V变化,不是你所说的由于不断复位造成的,而是MEMORY-OK信号后面造成的,建议分析MQ3,MQ2的工作条件,请提供它们的型号以便进一步分析。

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晕哦! 说过几次了,MEMORY_OK电路外围所有元件都查过、代换过了! 不知道你是看不懂,还是真没仔细看? 短路MQ2g-s后(由于MOR1电阻较大56K,所以不影响南桥输出的MEMORY_OK高电平3.3V;如果直接对地短路M  详情 回复 发表于 2015-1-19 17:17
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26#
发表于 2015-1-19 16:58:19 | 只看该作者 来自: 山东济南 来自 山东济南
加焊BGA试试

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27#
发表于 2015-1-19 16:58:59 | 只看该作者 来自: 山东济南 来自 山东济南
桥虚焊,会出现上述故障

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28#
发表于 2015-1-19 17:17:25 | 只看该作者 来自: 安徽黄山 来自 安徽黄山
ytg689 发表于 2015-1-19 16:53
这就很能说明问题了,1.4-1.72V变化,不是你所说的由于不断复位造成的,而是MEMORY-OK信号后面造成的,建 ...

晕哦!
说过几次了,MEMORY_OK电路外围所有元件都查过、代换过了!
不知道你是看不懂,还是真没仔细看?

短路MQ2g-s后(由于MOR1电阻较大56K,所以不影响南桥输出的MEMORY_OK高电平3.3V;如果直接对地短路MEMORY_OK,则开机不复位不跑码)MEMOK人为置高电平后,MOD1不是处于截止状态吗?

所以,MEMOK电压约等于RSTCON#=3.3v,机器肯定正常工作啊!

之所以出现这种不断复位、重启,正是由于MEMOK不断被拉低,使RSTCON#不断被拉低所致。

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首先更正版主一个N沟道场效应管的描述问题,短路MQ2,一般理解是d-s高通,而不是版主所说的g-s短路。 第二,本人前面理解是MQ2短路即为MQ2的D-S极导通,而要使MQ2导通必须其Vgs为高电平,这正符合MEMORY-OK信号是高  详情 回复 发表于 2015-1-20 10:55
首先更正版主一个N沟道场效应管的描述问题,短路MQ2,一般理解是d-s高通,而不是版主所说的g-s短路。 第二,本人前面理解是MQ2短路即为MQ2的D-S极导通,而要使MQ2导通必须其Vgs为高电平,这正符合MEMORY-OK信号是高  详情 回复 发表于 2015-1-20 10:54
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29#
发表于 2015-1-19 17:29:29 | 只看该作者 来自: 广东广州 来自 广东广州
太厉害啦   

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30#
发表于 2015-1-20 10:54:32 | 只看该作者 来自: 四川 来自 四川
新安江 发表于 2015-1-19 17:17
晕哦!
说过几次了,MEMORY_OK电路外围所有元件都查过、代换过了!
不知道你是看不懂,还是真没仔细看 ...

首先更正版主一个N沟道场效应管的描述问题,短路MQ2,一般理解是d-s高通,而不是版主所说的g-s短路。
第二,本人前面理解是MQ2短路即为MQ2的D-S极导通,而要使MQ2导通必须其Vgs为高电平,这正符合MEMORY-OK信号是高电平,所以就有前面的分析。
第三,目前版主说短路MQ2的g-s极,就是说此时MQ2是截止的,相当于MQ2断开,其Vgs是低电平,而要满足此条件必须MEMORY-OK为低电平。(版主却说是认为置高MEMORY-OK信号,造成误解)
第四,结合第三条分析,按版主将MQ2的g-s短路,机子显示正常,此时MEMORY-OK信号应该为低电平才对。
最后,版主好像对我的发言比较急,希望冷静哦!!!!!!!

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“最新进展:直接短路MQ2后开机,显示正常,即人为使MEMOK置高电平。” 看来的确是你没看清楚:一个是南桥输出的MEMORY_OK信号,一个是本板特有内存兼容性设置开关信号:MEMOK! 既然是人为置MEMOK为高电平,  详情 回复 发表于 2015-1-20 17:07
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31#
发表于 2015-1-20 10:55:18 | 只看该作者 来自: 四川 来自 四川
新安江 发表于 2015-1-19 17:17
晕哦!
说过几次了,MEMORY_OK电路外围所有元件都查过、代换过了!
不知道你是看不懂,还是真没仔细看 ...

首先更正版主一个N沟道场效应管的描述问题,短路MQ2,一般理解是d-s高通,而不是版主所说的g-s短路。
第二,本人前面理解是MQ2短路即为MQ2的D-S极导通,而要使MQ2导通必须其Vgs为高电平,这正符合MEMORY-OK信号是高电平,所以就有前面的分析。
第三,目前版主说短路MQ2的g-s极,就是说此时MQ2是截止的,相当于MQ2断开,其Vgs是低电平,而要满足此条件必须MEMORY-OK为低电平。(版主却说是认为置高MEMORY-OK信号,造成误解)
第四,结合第三条分析,按版主将MQ2的g-s短路,机子显示正常,此时MEMORY-OK信号应该为低电平才对。
最后,版主好像对我的发言比较急,希望冷静哦!!!!!!!

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32#
发表于 2015-1-20 11:55:29 | 只看该作者 来自: 四川 来自 四川
慎重声明:本人以上分析都是根据楼主所提供手绘图纸和描述,没有查看其它相关资料。

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33#
发表于 2015-1-20 17:07:02 | 只看该作者 来自: 安徽 来自 安徽
ytg689 发表于 2015-1-20 10:54
首先更正版主一个N沟道场效应管的描述问题,短路MQ2,一般理解是d-s高通,而不是版主所说的g-s短路。
第 ...

“最新进展:直接短路MQ2后开机,显示正常,即人为使MEMOK置高电平。”

看来的确是你没看清楚:一个是南桥输出的MEMORY_OK信号,一个是本板特有内存兼容性设置开关信号:MEMOK

既然是人为置MEMOK为高电平,肯定是短路MQ2的G-S极了,要是短路D-S极,怎么可能使MEMOK为高电平?
我不是急,我都把这个板买下来研究了,有的是时间,我是怕看帖的没耐心看清楚前面的内容就着急回复。
再次感谢你的回复。

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34#
发表于 2015-1-21 15:51:41 | 只看该作者 来自: 四川 来自 四川
这样看来,第5楼答案可信。

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