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三星发布超高密度SSD芯片 对抗闪迪和东芝

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发表于 2015-8-13 11:10:27 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式 来自: 广东广州 来自 广东广州

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  在本月初,闪迪和东芝正式发布了双方联合研发的世界首款256Gbit(32GB)、48层堆叠、3bpc固态硬盘。但这个领先优势并没有保持太久,因为日前三星也正式带来了自己同类型技术。

  三星将这款自主研发的固态硬盘芯片命名为V-NAND,它的配置参数同样为256Gbit、48层堆叠和3bpc,密度是传统128Gbit NAND闪存芯片的两倍。除了实现32GB(256Gbit)的单Die容量外,这款芯片还能轻松实现两倍于三星现有固态硬盘系列的容量,并成为多TB固态硬盘的理想解决方案。

  容量的增加可以带来一个简单、明显且重要的影响,那就是让硬盘以更小的体积存储更多的数据。举个例子,在首次研发出48层堆叠芯片之后,三星就紧接着发布了2TB 850 Evo和Pro固态硬盘。

  在技术到位之后,紧接着就是生产的竞赛了。闪迪和东芝透露,我们要等到2016年才会看到使用这种芯片的产品问世。而三星目前还未公布任何的产品计划,无论是在消费类还是企业市场。那么究竟谁才会率先推出搭载这种超级芯片的固态硬盘?我们就只能拭目以待了。



2#
发表于 2015-8-13 11:36:03 | 只看该作者 来自: 浙江金华 来自 浙江金华
现在的技术真的是越来越牛B了

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3#
发表于 2015-8-13 11:49:25 | 只看该作者 来自: 浙江杭州 来自 浙江杭州
容量是上去了,但可靠性远没有机械盘来的优秀。对于敏感数据类存储丢失后和寿命短等问题的方案需有待解决。。。

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