此图看不懂,请高手指点一下..

会员786583

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根椐上图,待机时,ATXPWROK为0V,   标示3为低电平,6也为低电平,场管Q32(P沟道)导通,
场管2脚+2.5V_SB流向3脚,给内存提供+2.5VDIMM

上电后,,ATXPWROK为5V,标示9为高电平,8也为高电平(是5V吗?), 三极管B级为高电平,导通,12V下拉为0V,
场管Q33(N沟道)  标示1为低电平, 截止..那+2.5VDIMM 是从哪里得到的?   还有图右下角的+2.5VM,在此图中,有什么吗?

我对上图,有点理解不过来? 请大家帮解释一下..谢谢..
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根据大家给的答案,  得出新的结果,如下图..

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还有关于场管的电走向,(本人理解,P沟道  电从D极电走向S,  N沟道  的电从S走向D极,不知道此理解是否正确 ) ,请大家指正.
谢谢..大家的指点..

会员783690

我是新手我看电路基本不会看的，期待着高手来解答

会员689769

与非门，只有Ａ　Ｂ都为高时，Ｙ才为低
结果就是待机时，上面的Ｐ沟道导通，下面的Ｎ沟道截止
开机时上面的Ｐ沟道截止，下面的Ｎ沟道导通

会员308967

这个图其实仔细看看就会体会到其中的韵味了
1,待机时,ATXPWROK为低电平,经过U24与门电路6PIN最后输出还是低电平,Q32为PNP沟道型MOS管,低电平导通,+2.5V -SB(待机时就由5V3B转换出来的2.5V待机电压,这里已经解释得很明白了)经Q32转换为+2.5VDIMM,也就是内存供电,此为内存供电电路一,下面那一部分电路由于Q33为NPN型MOS管,此时低电平截止
2,上电后,ATXPWROK为高电平,根据你图中所示,Q33此时确实为截止状态,但根据MOS管开漏特性,+2.5VM(通电后由3.3V转换出来的2.5V电压)接Q33S极,此时不论Q33是否导通或截止,+2.5VM都会流向Q33D极为内存供电,此为内存供电电路二

会员476430

右下角的+2.5VM，你上电测有此电压吗？若上电一直有此电压的话，按开关上电后 ，ATXPWROK为0V时，内存供电暂时用+2.5VM转换+2.5VDIMM! 当ATXPWROK为5V时，就用+2.5V_SB转换的电压+2.5VDIMM! 。为什么这样设计：我估计不错是为了S3状态<普通休眠状态，此时内存需要供电来维持休眠之前状态数据>，在S3状太下ATXPWROK为0V,那么内存供电暂时用+2.5VM转换的+2.5VDIMM来供电!

会员786583

恒兴网络 发表于 2013-7-21 20:55

                               
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与非门，只有Ａ　Ｂ都为高时，Ｙ才为低
结果就是待机时，上面的Ｐ沟道导通，下面的Ｎ沟道截止
开机时上面 ...

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根据你的答案,我得出了新的结果..如图,请帮确认一下..答案,及电的走向,是否正确...

我有点搞不清楚,  电的走向,是不是这样的..  N沟道, 电从D极走向S极,  P沟道  电从S极走向D极..

会员689769

Ｄ　Ｓ可以随意更换，只要满足它的导通条件，电流就能从Ｄ流向Ｓ，或者从Ｓ流向Ｄ

会员659349

上面74HC123是与非门，当待机时ATXPWROK为低1.2脚相连先与门内部输出为低经非门反转在输出为高 ，说以3.4脚为高，5脚ENDDR也为高内部与门在输出为高然后非门反转6脚输出为低导通Q32为后级供电。       当上电后ATXPWROK为高同时ENDDR为高是内部与门输出为高在非门反转8脚为低截止Q47同时Q33导通，然后由3.3V转换出来的电压2.5VM经过Q33到达2.5vimm为后级供电，这就是所谓的双供电。个人理解勿喷。。。

会员714145

哇真正的高手就是看图纸随便看看都明白了

会员689214

倒过来看就可以理解了。得了解门电路才路理解

会员713299

高手真是太多了，我本来也想给你讲解一番的，不过上面的几位师傅都给你讲过了，我就不好再献丑了，6楼的老板说得对，看电路了，电流即可从d到s，也可以从s到d，不过做开关的一般都是d到s。最后，你实在看不懂的话，就在网上搜一下与非门的特性，再看一下应该就能明白了

会员777442

场管都是从D到S的，N沟道高电平.P沟道低电平