人生当中第一次修好，V星B250，终章。

会员557021

V星B250M BAZOOKA，整板9成新，拿到的时候内存一处有烧的痕迹，测量各重要点位不短路，上CPU，内存，卡CPU，内存2.5,1.2正常，3V复位正常，1.05ME正常，没有CPU电压和时钟，量各大电感VCCIO没有电，一直以为是VCCIO的供电芯片NB681有问题，无奈技术不行不敢乱换，问了豆包时序。
一、 完整信号先后顺序（从上电到 CPU 核心供电开启）

• ATX 电源待机供电先上：5VSB、3VSB
  
  
  
  • 这是主板最先上电的部分，给 IO 芯片、PCH 待机模块供电。
  • 此时：VCCIO_EN、VCCIO_PG、SLP_S3#、SLP_S3_CTRL、VRM_EN 均为低电平 / 0V。
    
  
  
• 按下开机键，主板发出 S0 请求
  
  
  
  • IO 芯片 / 南桥收到开机信号，开始执行上电时序。
    
  
  
• VCCIO_EN（使能信号）拉高 → 启动 VCCIO 供电芯片 U40
  
  
  
  • VCCIO_EN 是 PCH/IO 发出的使能信号，给 U40（NB679）的 EN 脚。
  • 拉高后，U40 开始工作，输出 VCCIO 核心电压（1.2V）。
    
  
  
• VCCIO 供电稳定 → VCCIO_PG（供电就绪信号）拉高
  
  
  
  • 当 U40 检测到 VCCIO 电压稳定后，会把VCCIO_PG（PG 脚）拉高到 3.3V。
  • 这是关键的第一级就绪信号，它拉高，后面的电路才会解锁。
    
  
  
• VCCIO_PG 拉高 → 控制 Q14，生成 SLP_S3_CTRL 信号
  
  
  
  • VCCIO_PG=3.3V → Q14 下方 MOS 管导通 → G2 被拉低 → 上方 MOS 管截止。
  • 此时SLP_S3_CTRL被拉低，为下一级电路准备好条件。
    
  
  
• PCH 发出 SLP_S3# 信号，从高电平变为低电平
  
  
  
  • 主板从 S3 休眠状态进入 S0 工作状态，SLP_S3#由 3.3V 变为 0V。
  • 这是南桥发出的第二级控制信号，配合SLP_S3_CTRL一起控制 Q15。
    
  
  
• SLP_S3_CTRL + SLP_S3# 共同作用 → 控制 Q15，释放 VRM_EN
  
  
  
  • SLP_S3_CTRL=0V（来自 Q14），SLP_S3#=0V（来自 PCH）。
  • Q15 的两个 MOS 管都截止，VRM_EN不再被拉低。
    
  
  
• VRM_EN 被 + 12V 上拉，变为高电平 → 启动 RT3606 供电芯片
  
  
  
  • VRM_EN被 R125 上拉到约 12V，RT3606 收到使能信号，开始输出 CPU 核心电压 VCORE。
  • 原来VCCIO属于比较早期的电压，他不正常就不会有电源管理的EN，后续就不会有CPU供电。那就继续查VCCIO的条件，发现NB681电源正常，没有EN，查EN的电路图虽然不理解但VCC_DDR没有电压，不确定是元件氧化造成的测量不准还是就是没有电压，想到这忽然有个大胆的想法，内存供电是正常的，这里难道是断线了，我拉一根线如果VCCIO有电了，说明就是断线造成的确电压，飞了一根大粗线，一边焊上一边怼上，俩手有点不够用，测量VCCIO出0.95，天大的惊喜，原来就是这个问题，感觉是原来内存槽那给烧断了。
    
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会员557021

发错板块了，哪位老大帮忙挪一下吧，太激动了。