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禾纳推出的AET3152AP是一款高性能MOSFET，具有VDS=-30V和ID=-40A的特性，典型导通电阻为11mΩ（VGS=-10V，ID=-10A）和15mΩ（VGS=-4.5V，ID=-5A）。该器件支持快速切换，具备低电阻特性，且不含卤素和锑，符合Rohs标准。其工作温度范围为-55℃至125℃，采用PDFN3030封装。AET3152AP广泛应用于交换机切换以及便携式/台式机中的电源管理，提供高效可靠的性能。 -30VDS/±25VGS P沟道高级模式MOSFET 特色 VDS=-30V,ID=-40A RDS (ON)=11mΩ (TYP.)VGS=-10V, ID=-10A RDS (ON)=15mΩ (TYP.)VGS=-4.5V, ID=-5A 快速切换 低电阻 不含卤素和锑，符合Rohs标准 绝对最大额定值 包装信息 应用 交换机切换 便携式/台式机中的电源管理
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狗仔卡
发表于 2025-6-19 11:18:02
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