pv507ba数据

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PV507BA MOSFET。数据表pdf。相等的

类型指示符：PV507BA

晶体管类型：MOSFET

控制通道类型：P-通道

最大功耗（Pd）：4.1 W

最大漏源极电压| Vds |：30 V

最大栅源电压| Vgs |：25 V

最大栅极阈值电压| Vgs（th）|：3 V

最大漏极电流| Id |：13 A

最高结温（Tj）：150°C

上升时间（tr）：16纳秒

漏源极电容（Cd）：337 pF

最大漏源导通状态电阻（Rds）：0.014欧姆