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标题: 温度传感器DS18B20介绍及程序 [打印本页]
作者: バ幸福De右岸    时间: 2016-3-28 13:16
标题: 温度传感器DS18B20介绍及程序
一、DS18B20的主要特性
（1）适应电压范围更宽，电压范围：3.0～5.5V，在寄生电源方式下可由数据线供电
（2）独特的单线接口方式，DS18B20在与微处理器连接时仅需要一条口线即可实现微处理器与DS18B20的双向通讯
（3）DS18B20支持多点组网功能，多个DS18B20可以并联在唯一的三线上，实现组网多点测温
（4）DS18B20在使用中不需要任何外围元件，全部传感元件及转换电路集成在形如一只三极管的集成电路内
（5）温范围－55℃～＋125℃，在-10～+85℃时精度为±0.5℃
（6）可编程的分辨率为9～12位，对应的可分辨温度分别为0.5℃、0.25℃、0.125℃和0.0625℃，可实现高精度测温
（7）在9位分辨率时最多在93.75ms内把温度转换为数字，12位分辨率时最多在750ms内把温度值转换为数字，速度更快
（8）测量结果直接输出数字温度信号，以"一线总线"串行传送给CPU，同时可传送CRC校验码，具有极强的抗干扰纠错能力
（9）负压特性：电源极性接反时，芯片不会因发热而烧毁，但不能正常工作。
二、DS18B20的外形和内部结构
DS18B20内部结构主要由四部分组成：64位光刻ROM、温度传感器、非挥发的温度报警触发器TH和TL、配置寄存器。DS18B20的外形及管脚排列如下图1:

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图1：DS18B20外形及引脚排列图

DS18B20引脚定义：
(1)DQ为数字信号输入/输出端；
(2)GND为电源地；
(3)VDD为外接供电电源输入端（在寄生电源接线方式时接地）。

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图2：DS18B20内部结构图
三、DS18B20工作原理
DS18B20的读写时序和测温原理与DS1820相同，只是得到的温度值的位数因分辨率不同而不同，且温度转换时的延时时间由2s减为750ms。DS18B20测温原理如图3所示。图中低温度系数晶振的振荡频率受温度影响很小，用于产生固定频率的脉冲信号送给计数器1。高温度系数晶振随温度变化其振荡率明显改变，所产生的信号作为计数器2的脉冲输入。计数器1和温度寄存器被预置在－55℃所对应的一个基数值。计数器1对低温度系数晶振产生的脉冲信号进行减法计数，当计数器1的预置值减到0时，温度寄存器的值将加1，计数器1的预置将重新被装入，计数器1重新开始对低温度系数晶振产生的脉冲信号进行计数，如此循环直到计数器2计数到0时，停止温度寄存器值的累加，此时温度寄存器中的数值即为所测温度。图3中的斜率累加器用于补偿和修正测温过程中的非线性，其输出用于修正计数器1的预置值。
图3：DS18B20测温原理框图
DS18B20有4个主要的数据部件：
（1）光刻ROM中的64位序列号是出厂前被光刻好的，它可以看作是该DS18B20的地址序列码。64位光刻ROM的排列是：开始8位（28H）是产品类型标号，接着的48位是该DS18B20自身的序列号，最后8位是前面56位的循环冗余校验码（CRC=X8+X5+X4+1）。光刻ROM的作用是使每一个DS18B20都各不相同，这样就可以实现一根总线上挂接多个DS18B20的目的。
（2）DS18B20中的温度传感器可完成对温度的测量，以12位转化为例：用16位符号扩展的二进制补码读数形式提供，以0.0625℃/LSB形式表达，其中S为符号位。

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表1:DS18B20温度值格式表
这是12位转化后得到的12位数据，存储在18B20的两个8比特的RAM中，二进制中的前面5位是符号位，如果测得的温度大于0，这5位为0，只要将测到的数值乘于0.0625即可得到实际温度；如果温度小于0，这5位为1，测到的数值需要取反加1再乘于0.0625即可得到实际温度。
例如+125℃的数字输出为07D0H，+25.0625℃的数字输出为0191H，-25.0625℃的数字输出为FF6FH，-55℃的数字输出为FC90H。

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表2:DS18B20温度数据表
（3）DS18B20温度传感器的存储器
DS18B20温度传感器的内部存储器包括一个高速暂存RAM和一个非易失性的可电擦除的EEPRAM,后者存放高温度和低温度触发器TH、TL和结构寄存器。
（4）配置寄存器
该字节各位的意义如下：


表3：配置寄存器结构


TM
R1
R0
1
1
1
1
1




低五位一直都是"1"，TM是测试模式位，用于设置DS18B20在工作模式还是在测试模式。在DS18B20出厂时该位被设置为0，用户不要去改动。R1和R0用来设置分辨率，如下表所示：（DS18B20出厂时被设置为12位）


表4：温度分辨率设置表


R1
R0
分辨率
温度最大转换时间

0
0
9位
93.75ms

0
1
10位
187.5ms

1
0
11位
375ms

1
1
12位
750ms






四、高速暂存存储器
高速暂存存储器由9个字节组成，其分配如表5所示。当温度转换命令发布后，经转换所得的温度值以二字节补码形式存放在高速暂存存储器的第0和第1个字节。单片机可通过单线接口读到该数据，读取时低位在前，高位在后，数据格式如表1所示。对应的温度计算：当符号位S=0时，直接将二进制位转换为十进制；当S=1时，先将补码变为原码，再计算十进制值。表?2是对应的一部分温度值。第九个字节是冗余检验字节。


表5： DS18B20暂存寄存器分布


寄存器内容
字节地址

温度值低位（LSByte）
0

温度值高位（MSByte）
1

高温限值（TH）
2

低温限值（TL）
3

配置寄存器
4

保留
5

保留
6

保留
7

CRC校验值
8




根据DS18B20的通讯协议，主机（单片机）控制DS18B20完成温度转换必须经过三个步骤：每一次读写之前都要对DS18B20进行复位操作，复位成功后发送一条ROM指令，最后发送RAM指令，这样才能对DS18B20进行预定的操作。复位要求主CPU将数据线下拉500微秒，然后释放，当DS18B20收到信号后等待16～60微秒左右，后发出60～240微秒的存在低脉冲，主CPU收到此信号表示复位成功。


表6： ROM指令表


指令
约定代码
功能

读ROM
33H
读DS1820温度传感器ROM中的编码（即64位地址）

符合 ROM
55H
发出此命令之后，接着发出 64 位 ROM编码，访问单总线上与该编码相对应的 DS1820 使之作出响应，为下一步对该 DS1820的读写作准备。

搜索 ROM
0FOH
用于确定挂接在同一总线上 DS1820 的个数和识别 64 位ROM 地址。为操作各器件作好准备。

跳过 ROM
0CCH
忽略 64 位 ROM 地址，直接向 DS1820发温度变换命令。适用于单片工作。

告警搜索命令
0ECH
执行后只有温度超过设定值上限或下限的片子才做出响应。








表6： RAM指令表


指令
约定代码
功能

温度变换
44H
启动DS1820进行温度转换，12位转换时最长为750ms（9位为93.75ms）。结果存入内部9字节RAM中。

读暂存器
0BEH
读内部RAM中9字节的内容

写暂存器
4EH
发出向内部RAM的3、4字节写上、下限温度数据命令，紧跟该命令之后，是传送两字节的数据。

复制暂存器
48H
将RAM中第3、4字节的内容复制到EEPROM中。

重调 EEPROM
0B8H
将EEPROM中内容恢复到RAM中的第3、4字节。

读供电方式
0B4H
读DS1820的供电模式。寄生供电时DS1820发送“ 0”，外接电源供电 DS1820发送“ 1 ”。






五、DS18B20的应用电路
DS18B20测温系统具有测温系统简单、测温精度高、连接方便、占用口线少等优点。下面就是DS18B20几个不同应用方式下的测温电路图：

[1]、DS18B20寄生电源供电方式电路图
如下面图4所示，在寄生电源供电方式下，DS18B20从单线信号线上汲取能量：在信号线DQ处于高电平期间把能量储存在内部电容里，在信号线处于低电平期间消耗电容上的电能工作，直到高电平到来再给寄生电源（电容）充电。
独特的寄生电源方式有三个好处：
   
    1）进行远距离测温时，无需本地电源
    2）可以在没有常规电源的条件下读取ROM
    3）电路更加简洁，仅用一根I/O口实现测温

要想使DS18B20进行精确的温度转换，I/O线必须保证在温度转换期间提供足够的能量，由于每个DS18B20在温度转换期间工作电流达到1mA，当几个温度传感器挂在同一根I/O线上进行多点测温时，只靠4.7K上拉电阻就无法提供足够的能量，会造成无法转换温度或温度误差极大。
因此，图4电路只适应于单一温度传感器测温情况下使用，不适宜采用电池供电系统中。并且工作电源VCC必须保证在5V，当电源电压下降时，寄生电源能够汲取的能量也降低，会使温度误差变大。
注：站长曾经就此电路做过实验，在实验中，降低电源电压VCC，当低于4.5V时，测出的温度值比实际的温度高，误差较大。。。当电源电压降为4V时，温度误差有3℃之多，这就应该是因为寄生电源汲取能量不够造成的吧，因此，站长建议大家在开发测温系统时不要使用此电路。
图4

[2]、DS18B20寄生电源强上拉供电方式电路图

改进的寄生电源供电方式如下面图5所示，为了使DS18B20在动态转换周期中获得足够的电流供应，当进行温度转换或拷贝到E2存储器操作时，用MOSFET把I/O线直接拉到VCC就可提供足够的电流，在发出任何涉及到拷贝到E2存储器或启动温度转换的指令后，必须在最多10μS内把I/O线转换到强上拉状态。在强上拉方式下可以解决电流供应不走的问题，因此也适合于多点测温应用，缺点就是要多占用一根I/O口线进行强上拉切换。

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图5


注意：在图4和图5寄生电源供电方式中，DS18B20的VDD引脚必须接地
[3]、DS18B20的外部电源供电方式

在外部电源供电方式下，DS18B20工作电源由VDD引脚接入，此时I/O线不需要强上拉，不存在电源电流不足的问题，可以保证转换精度，同时在总线上理论可以挂接任意多个DS18B20传感器，组成多点测温系统。注意：在外部供电的方式下，DS18B20的GND引脚不能悬空，否则不能转换温度，读取的温度总是85℃。

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图6：外部供电方式单点测温电路
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图7：外部供电方式的多点测温电路图
外部电源供电方式是DS18B20最佳的工作方式，工作稳定可靠，抗干扰能力强，而且电路也比较简单，可以开发出稳定可靠的多点温度监控系统。站长推荐大家在开发中使用外部电源供电方式，毕竟比寄生电源方式只多接一根VCC引线。在外接电源方式下，可以充分发挥DS18B20宽电源电压范围的优点，即使电源电压VCC降到3V时，依然能够保证温度量精度。
六、DS1820使用中注意事项
DS1820虽然具有测温系统简单、测温精度高、连接方便、占用口线少等优点，但在实际应用中也应注意以下几方面的问题：
1) 较小的硬件开销需要相对复杂的软件进行补偿，由于DS1820与微处理器间采用串行数据传送，因此，在对DS1820进行读写编程时，必须严格的保证读写时序，否则将无法读取测温结果。在使用PL/M、C等高级语言进行系统程序设计时，对DS1820操作部分最好采用汇编语言实现。
2) 在DS1820的有关资料中均未提及单总线上所挂DS1820数量问题，容易使人误认为可以挂任意多个DS1820，在实际应用中并非如此。当单总线上所挂DS1820超过8个时，就需要解决微处理器的总线驱动问题，这一点在进行多点测温系统设计时要加以注意。
3) 连接DS1820的总线电缆是有长度限制的。试验中，当采用普通信号电缆传输长度超过50m时，读取的测温数据将发生错误。当将总线电缆改为双绞线带屏蔽电缆时，正常通讯距离可达150m，当采用每米绞合次数更多的双绞线带屏蔽电缆时，正常通讯距离进一步加长。这种情况主要是由总线分布电容使信号波形产生畸变造成的。因此，在用DS1820进行长距离测温系统设计时要充分考虑总线分布电容和阻抗匹配问题。
4) 在DS1820测温程序设计中，向DS1820发出温度转换命令后，程序总要等待DS1820的返回信号，一旦某个DS1820接触不好或断线，当程序读该DS1820时，将没有返回信号，程序进入死循环。这一点在进行DS1820硬件连接和软件设计时也要给予一定的重视。
测温电缆线建议采用屏蔽4芯双绞线，其中一对线接地线与信号线，另一组接VCC和地线，屏蔽层在源端单点接地。


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初始化操作方法：单片机先给总线一个高电平，略微延时,然后拉低总线，至少延时480us（我们取600us），然后拉高总线，等待15~60us的时间（我们取80us)，此后DS18B20如果响应，则会发出0，拉低总线，否则为1，单片机检测是否响应的时间在60~240us之内，之后释放总线，程序如下：
bit DS18B20_init()//初始化
{
uchar i;
bit flag_response=0;
DQ=1;
_nop_();_nop_();
DQ=0;
delay_us(90); //延时600us
DQ=1;
delay_us(10); //延时80us
for(i=0;i<15;i++)
{
  _nop_();_nop_();_nop_();_nop_();_nop_();
  if(!DQ)
  {
   flag_response=1;
   break;
  }
}
delay_us(63);//延时420us
DQ=1;//释放总线
return(flag_response);
}

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62121857176634.jpg
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写操作方法：由于是单总线，读写操作都分为写0和写1，从一个字节的最低位逐次往DS18B20里写，先使总线产生一个由1到0的跳变，等待15us(我们取13us)，然后判断要写的那位是1还是0，如果是1，则拉高总线，0则不去操作总线（因为总线开始产生跳变时已被拉低），等待45us(我们取64us)以后释放总线（这段时间DS18B20会采样,如上图所示），程序如下：
void DS18B20_write(uchar dat)//写1个字节
{
uchar i;
for(i=0;i<8;i++)
{
  DQ=1;
  _nop_();_nop_();
  DQ=0;
  delay_us(1);//延时13us
  if(dat&0x01)
   DQ=1;
  delay_us(8);//延时64us
  DQ=1;//释放总线
  dat>>=1;
}   
}

读操作方法：使总线产生一个由1到0的跳变，等待1us，马上拉高总线，等待大约12个us（datasheet推荐的采样时间是快接近15us的时候，我们略微提前），单片机采样，如果总线被拉低，则读出的是0，否则就读出1，然后延时45us以上（我们取55us)释放总线；注意，读也是从最低位开始的，这里读出的0，1加到字节最高位，读完后，最高位被移到最低位，实际上是右移了7次

uchar DS18B20_read()//读1个字节
{
uchar i,dat=0;
for(i=0;i<8;i++)
{
  dat>>=1;
  DQ=1;
  _nop_();_nop_();
  DQ=0;
  _nop_();
  DQ=1;
  _nop_();_nop_();_nop_();_nop_();_nop_();_nop_();_nop_();_nop_();_nop_();_nop_();//按datasheet上的推荐时序，略微提前
  if(DQ)
   dat|=0x80;
  delay_us(7); //延时55us
  DQ=1;
}
return dat;
}



来源：网络转载



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