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标题: 二极管浪涌电流测试电路 [打印本页]

作者: xyza 时间: 2016-1-23 13:32
标题: 二极管浪涌电流测试电路
本帖最后由 xyza 于 2016-1-23 13:32 编辑

二极管浪涌电流测试电路

　　对于电路来说，浪涌电流是非常影响整体运行效率的一个问题。设计时想方设法的对浪涌电流进行规避，浪涌电流测试方法各种各样。下面小编为大家介绍一种二极管正向浪涌电流的测试基本电路。

　　正弦半波脉冲电流的产生

　　二极管的规格繁多，常见的额定通态电流从数百毫安到数百安培甚至更高，IFSM测试需要的峰值脉冲电流要求达到数十倍的额定通态电流值。浪涌电流标准的测试方法是采用大容量工频变压器，截取市电交流波形来产生时间常数为10ms、导通角为0°～180°的正弦半波脉冲，如图一（正向浪涌电流测试电路）。

二极管浪涌电流测试电路图一

　　用这种方法产生几百上千安培的正弦脉冲电流，所用到的变压器体积重量都非常可观，安装与使用十分不便。

　　大功率场效应管晶体管是一类标准的电压控制电流器件，在VDMOS管的线性工作区内，漏极电流受栅极电压控制：IDS=GFS*VGS。给栅极施加所需要的电压波形，在漏极就会输出相应的电流波形。因此，选用大功率VDMOS管适合用于实现所需的浪涌电流波形，电路形式如图二(VDMOS电流驱动电路_。

二极管浪涌电流测试电路图二

　　运放组成基本的反向运算电路，驱动VDMOS管的栅极，漏源电流通过VDMOS管源极取样电阻，加到运放反向输入端，与输入波形相加形成反馈，运放输出电压控制VDMOS管的栅极电压VGS，进而控制漏极输出电流IDS。这个IDS就是施加给待测二极管(DUT)的正向浪涌电流。

　　单只VDMOS管的功率和电流放大能力是有限的，无法达到上千安培的输出电流能力，采用多只并联的方式可以解决这个问题，以达到所需要的峰值电流。常见的连接方法如图三（VDMOS并联方式）。

二极管浪涌电流测试电路图三

　　在以上的内容中，本文对于各种浪涌电流冲击测试的要求进行了介绍，测试时所用的元器件都是常见的一些元器件。测试电路拥有体积小重量轻的特点，方便快速组合成测试仪器。

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