一、内存时序怎么看？
1、有些内存可以直接从外包装或内存表面的标签辨别它的时序，如图：
上图内存的时序就是红色方框内所示的：9-9-9-24
2、用软件cpu-z查看内存的时序，如图：
图中红色方框内显示的就是内存时序，这张图中内存的时序是：6-6-6-18
二、内存时序怎么调？
与传统的SDRAM相比，DDR（Dual date rate SDRSM：双倍速率SDRAM），最重要的改变是在界面数据传输上，其在时钟信号上升缘与下降缘时各传输一次数据，这使得DDR的数据传输速率为传统 SDRAM的两倍。同样地，对于其标称的如DDR400，DDR333，DDR266数值，代表其工作频率其实仅为那些数值的一半，也就是说DDR400 工作频率为200MHz。
１. FSB与内存频率的关系：
首先请大家看看FSB(Front Side Bus：前端总线)和内存比率与内存实际运行频率的关系。
FSB/MEM比率 实际运行频率
1/1 200MHz
1/2 100MHz
2/3 133MHz
3/4 150MHz
3/05 120MHz
5/6 166MHz
7/10 140MHz
9/10 180MHz
对于大多数玩家来说，FSB和内存同步，即1:1是使性能最佳的选择。而其他的设置都是异步的。同步后，内存的实际运行频率是FSBx2，所 以，DDR400的内存和200MHz的FSB正好同步。如果你的FSB为240MHz，则同步后，内存的实际运行频率为240MHz x 2 = 480MHz。
FSB与不同速度的DDR内存之间正确的设置关系： 强烈建议采用1：1的FSB与内存同步的设置，这样可以完全发挥内存带宽的优势。
２. 内存时序设置：
内存参数的设置正确与否，将极大地影响系统的整体性能。下面我们将针对内存关于时序设置参数逐一解释，以求能让大家在内存参数设置中能有清晰的思路，提高电脑系统的性能。
３. 涉及到的参数分别为：
CPC : Command Per Clock
tCL : CAS Latency Control
tRCD : RAS to CAS Delay
tRAS : Min RAS Active Timing
tRP : Row Precharge Timing
tRC : Row Cycle Time
tRFC : Row Refresh Cycle Time
tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay)
tWR : Write Recovery Time
……及其他参数的设置
首 先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开 手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表。
