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标题: 最新实地华硕K42JR(HM55)待机流程颠覆经典待机。 [打印本页]

作者: lvjingang    时间: 2015-9-6 14:52
标题: 最新实地华硕K42JR(HM55)待机流程颠覆经典待机。
本帖最后由 lvjingang 于 2015-9-6 15:39 编辑

我简单阐述一下保护隔离的流程。和待机流程。详情快来实地吧!
首先插入适配器之后经电阻分压自导通PQ8901产生CHG_VCC,有经PQ8902的体二极管,产生小电流的公共点AC_SYS_BAT。


CHG_VCC一路来到PQ8903的G级隔离电池,一路经电阻PR8911 PR8915分压与充电芯片的ACIN 脚相连。 CHG_PATH_19V经电阻PR8904和PR8906连到充电芯片的ACOK 脚。






当充电芯片的ACIN 脚大于1.25V的时候芯片开漏输出ACOK 使CHG_PATH_19V经电阻PR8904和PR8906形成分压产生6V多的CHG_VCC_GATE使PQ8902完全导通产生大电流的AC_SYS_BAT。
下面就是桥的待机产生了。




AC_SYS_BAT给待机芯片RT8205的16脚提供主供电,有经电阻PR8117给芯片作为总开启。


RT8205输出线性供电+3VAO和+5VA,+3VAO给EC提供待机供电,EC给晶振供电晶振给EC提供基准时钟频率,有延时给EC提供复位。此时EC便发出VSUS_ON去开启桥的待机。
ENBL悬空使PR8102和PR8103与芯片内部上啦电阻形成分压。是芯片ENTRIP2和ENTRIP1脚处于高电平,芯片输出驱动方波,控制上下管产生3/5待机。
3v待机为BIOS供电,EC读取EC程序,(瞬间读取),然后关比待机。当检测到适配器后再次开启待机。
经典待机是先读取EC程序在开启待机。然而新型待机流程是先开启待


机再读取EC程序。然后再关闭待机,等检测到适配器之后再次开启 待机。剩下的就是南桥的8大待机条件了。今天就说这么多了,我只是大概的说了一下流程,想了解更加详细的流程和最新的时序快来实地学习吧,月饼老师亲自讲哦,还在等什么!!!!!!


                               别忘了给我加分啊朋友们!!! ,写了 这么多好辛苦的。 Intel_华硕_K42JR(HM55).pdf (2.9 MB, 下载次数: 172)