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标题: 华硕M4A77T不停复位讨论！ [打印本页]
作者: 新安江    时间: 2015-1-16 14:33
标题: 华硕M4A77T不停复位讨论！
本帖最后由 新安江 于 2015-1-16 18:20 编辑

故障：能触发开机有显示，但开机后，不到一分钟左右就不断重启。

维修：查了传说中的8.2K排阻，代换过跟南桥、IO、复位电路有关的所有822排阻，无效。更换南桥、刷BIOS、加焊北桥均无效！搜索了一下论坛，发现这个问题比较常见，但好像没一个帖子说完全修复？
故重开此帖，跟大家讨论。

分析：开机正常有显示，说明主POST自检正常，不断重启时，诊断卡RST灯、主板的MEMOK灯，随之不停复位闪亮，所以，直接测量面板的复位针，结果RSTCON＃＿PANEL针为2V稳定，一般来说，硬复位针上的电压为3.3V，所以，先怀疑2v电压偏低，但查此电路，一无所获，鉴于以上已大面积排查而无果，无奈，只好根据实物，手绘出复位电路部分电路图。
华硕M4A77T不断复位.jpg
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如图所示：当开机后有正常显示，说明IO至南桥至CPU的复位电路已正常，此时SB的RSTCON＃为高电平。
当按下手动复位键后（RSTCON＃＿PANEL），相当于短接C56，把+3VSB经ORN14加到OQ3的B极电位下拉至0V，OQ3截止，OQ4导通，相当于0Q4的C-E短接，对SB的RSTCON＃进行低电平复位，系统总复位。

这是正常的主板硬复位电路，但华硕M4A77T主板，同时还采用了一个特殊的复位电路：MEMOR　OK电路。这个可以百度一下，大概意思是说，当主板的内存不兼容（性能、频率、容量不同的内存混插造成），或是使用者手动超频后，因内存频率过高而造成主板POST自检不过内存时，按下MEMORY　OK键后，可以使内存自动恢复到正常启动的频率范围内，这样主板就能正常启动了。
从复位电路看，手动复位针（RSTCON＃＿PANEL）上的偏置电压，其实就是+3VSB通过排阻ORN14的三个100K电阻分压而得，所以，2V应该算正常；而且，当不断复位出现时，这个2V一直稳定，故可直接排除这部份电路。

重点查MEMORY　OK这个复位电路：
当南桥发出总复位信号给系统复位后，还从内部发出一个MEMORY＿OK信号，如图所示，此信号分两路：一路经MOR41加到MQ1的G极，MQ1饱和导通，这相当于把MQ3的G极对地短接，MQ3截止，相当于其D-S结开路；MEMORY＿OK的另一路经MOR1加到MQ2的G极，因MQ2的G极对地并接了一个大容量电容MCE1（820ｕ），根据积分原理，M2Q的G极电位，在开机的瞬间并不足以使之达到饱和导通状态，因此，在此期间，MQ2是截止的，+3VSB经RN31、MOD1加到MQ2的D极，如果南桥复位正常，MO＿RTSCON＃约等于RSTCON＃等于3.3V。

随着MCE1上的充电电压的不断上升，当MQ2的G极达到约1.72V（实际在路测量，大概值，仅供参考）时，MQ2饱和导通，这相当于其D-S极短接（跟手动按下内存兼容性设置的MEMOK键结果一样），经MOD1下拉，将南桥的总复位信号RSTCON＃下拉，进行系统总复位。这个过程，跟手动复位的结果是一样的。
当系统总复位时，南桥输出MEMORY＿OK信号为低电平，此时，MQ1截止，MQ3导通，经MOR5，把MCE1上的充电电压快速释放；当系统总复位结束后，南桥输出MEMORY＿OK信号为高电平，又重复上述过程。

实际测量发现，开机后，MCE1上端电压为0V，随后慢慢上升，当达到1.72V后，整个系统进行总复位，随后这个充电电压基本维持在最低约1.4V，最高约1.72V之间，不断的重复动作。

现在的疑问是：这个主板的MEMORY＿OK到底表示什么?是表示内存正常的“好”信号，还是网上资料显示的内存兼容性快速设置信号？

MEMORY＿OK信号，在正常时，到底是高电平还是低电平？如果正常是低电平，那么跟通常表示信号“好”为高电平的电路就相悖；如果正常时为高电平，通过上述分析，主板肯定会不断的复位重启。

向各位有经验的师傅们请教，共同讨论。



作者: ♀兲噫♂    时间: 2015-1-16 15:23
有没有换过系统啊！
作者: ytg689    时间: 2015-1-16 15:53
MEMORY＿OK信号应该只是开机跳变一下就行，由南桥检测到某个存储器正常后发出的，如果不停跳变，可能要检测南桥和存储器（ROM，内存条）是否有问题哦
作者: 新安江    时间: 2015-1-16 15:59
ytg689 发表于 2015-1-16 15:53
MEMORY＿OK信号应该只是开机跳变一下就行，由南桥检测到某个存储器正常后发出的，如果不停跳变，可能要检测 ...

MEMORY　OK信号本身不跳变，只是在总复位信号RSTCON＃在复位时随之跳变。

你仔细看MCE1充放电过程就知道了。

根据此板的实物电路图看，如果MEMORY　OK在正常时是输出高电平的，那么，这个板肯定一直会不断地复位。
作者: ytg689    时间: 2015-1-16 17:13
我再仔细看了一下，MEMORY　OK信号应该是一个高电平脉冲，复位后应该是低电平才对
作者: ytg689    时间: 2015-1-16 17:29
如果MEMORY　OK信号正常后是高电平，MQ2应该长时间导通，相当于MO＿RTSCON＃长按，你画箭头的那个点应该不会1.4-1.72V变化，应该是个恒定的电压，除非MQ3漏电或性能不好。
作者: 新安江    时间: 2015-1-16 18:12
本帖最后由 新安江 于 2015-1-16 18:24 编辑
ytg689 发表于 2015-1-16 17:29
如果MEMORY　OK信号正常后是高电平，MQ2应该长时间导通，相当于MO＿RTSCON＃长按，你画箭头的那个点应该不 ...

你大概还是没仔细看我的描述：

“随着MCE1上的充电电压的不断上升，当MQ2的G极达到约1.72V（实际在路测量，大概值，仅供参考）时，MQ2饱和导通，这相当于其D-S极短接（跟手动按下内存兼容性设置的MEMOK键结果一样），经MOD1下拉，将南桥的总复位信号RSTCON＃下拉，进行系统总复位。这个过程，跟手动复位的结果是一样的。
当系统总复位时，南桥输出MEMORY＿OK信号为低电平，此时，MQ1截止，MQ3导通，经MOR5，把MCE1上的充电电压快速释放；当系统总复位结束后，南桥输出MEMORY＿OK信号为高电平，又重复上述过程。”

作者: wangjie4128    时间: 2015-1-16 19:25
这个有图吗
作者: 火星上的来客    时间: 2015-1-16 21:52
GA-MA770-S3P复位跳变，PWROK跳，总线供电也跳，换芯片，电容，反馈电阻，场管，依旧。断开总线供电，用桥供电控制PWROK也是在跳，引起桥供电也跳，复位针3.3V,挑起IO的lreset#脚,仍跳 ,换过南桥，刷BIOS无果。现在扔一边准备做料板.
作者: 火星上的来客    时间: 2015-1-16 22:00
MEMORY＿OK是内存好信号,高电平有效,有的板作为桥发出slp_s3#条件.
作者: 12d12    时间: 2015-1-16 22:24
桥开焊也这样
作者: 新安江    时间: 2015-1-17 09:43
火星上的来客 发表于 2015-1-16 22:00
MEMORY＿OK是内存好信号,高电平有效,有的板作为桥发出slp_s3#条件.

M4A77T中，板上确实预留了一个电阻MOR42，一端接MQ1的G极，另一端接到你说的SLP＿S3＃，但实际使用中并没有这个电阻。
按这个电路推算，MEMORY　OK确实应该为高电平，但如果确定为高电平，那么根据上面的实绘电路，通过对MCE1的不断充放电，系统总复位RSTCON＃肯定会不断地复位重启。
　
今天我又仔细地跑了一下线，MO＿RSTCON＃也就是MQ2的D极还有一路接到一个场管MQ6的G极，是检测控制CHASSIS电路的，同时还有一路经一个电阻MOR43接到双二极管OD3的另一脚，但实际使用中，MOR43为空。也就是说，这三个电路，并不直接影响上述故障。
作者: 新安江    时间: 2015-1-17 13:51
12d12 发表于 2015-1-16 22:24
桥开焊也这样

你是指南桥空焊吗？
我前面说过了，南桥已换全新，无效。
作者: 新安江    时间: 2015-1-18 17:41
最新进展：直接短路MQ2后开机，显示正常，即人为使MEMOK置高电平。

但短路南桥的MEMORY＿OK信号后，开机不复位无显示。

就是说，取消MCE1的充放电电路后，机器不再自动重启。仔细检查南桥发出的MEMORY＿OK除了接MOR41、MOR1两个电阻外，并无其它负载，怎么会出现这种现象？
作者: ytg689    时间: 2015-1-19 10:21
看来是图上箭头所指点产生寄生震荡问题，查一下MQ1，MQ3，MOR2，MOR41，MOR5，MCE1是否性能不好，最好先断开MOR5试试情况如何。
作者: ytg689    时间: 2015-1-19 11:11
再谈谈几点看法：
1.MCE1只是在开机时起到一个延迟作用，系统复位后就不起作用。
2.MEMORY OK信号开机低电平，在系统检测到内存正常后，由南桥发出稳定的高电平。经分析应该3.3V或5V.,所以图上箭头所指点正常时也应该3.3V或5V.
3.MQ1，MQ3，MOR5组成MCE1的放电回路，在关机时MEMORY　OK变为低电平，MQ1截止，使MQ3导通，MCE1通过MOR5，MQ3放电，使MQ2可靠截止。避免下次开机为高电平，造成开机时序紊乱。
4.版主测得箭头所指点电压1.4-1.72V不正常，应该3.3V或5V才对，经验判断80%是MCE1有问题，不妨换换 试试看。
作者: 新安江    时间: 2015-1-19 13:21
本帖最后由 新安江 于 2015-1-19 13:49 编辑
ytg689 发表于 2015-1-19 11:11
再谈谈几点看法：
1.MCE1只是在开机时起到一个延迟作用，系统复位后就不起作用。
2.MEMORY OK信号开机低 ...

感谢你的回复！
现在最重要的是，正常机器POST自检OK后，MEMORY＿OK到底是高电平、还是低电平，还是如前面会员提到的，是一个持续时间较短的高电平脉冲吗？这个整个帖子的关键！

因为，如果是高电平（实际测量为3.3V），那么从上述原理分析看，整个电路肯定会处于不断的复位、重启状态，这个我已重复多次了。　电路图没问题，整个MEMORY＿OK电路外围所有元件都检查并代换过。南桥也换过。

就是说，MEMOK电路不正常，肯定是由于南桥发出了不正常的MEMORY＿OK信号所致。

至于箭头所指点电压，是实测电压，肯定是准确的，原因如下：
南桥发出的MEMORY＿OK信号为3.3V高电平时，对MCE1有个充电过程，其充电的快慢和上、下限电压值，是根据MOR1、MCE1的积分参数决定的。这个好理解，但为什么最高只有1.72V左右而不是3.3V、最低不是0V而是约1.4V呢？很简单，你把这个电压的变化，跟开关机时间、复位时间结合分析就很简单了：

未开机时，MEMORY＿OK为0，MCE1上端当然为0V。
开机后，随着系统总复位，MEMEOY＿OK变为高电平3.3V，对MCE1进行充电，MCE1上的电压是缓慢不断上升的，当到达MQ2的正偏导通阀值时（实测约1.72V），MQ2饱和导通；前面分析过了，MQ2导通将最终造成RSTCON＃对系统进行总复位，复位瞬间，MEMORY＿OK会输出低电平，如你所说，MCE1会再次进入充电状态；这就很清楚了：之所以MCE1上端的电压最高只能到约1.72V，正是由于到这个阀值时，MQ2饱和导通了！而导通后MEMORY＿OK不是马上又变为0V了吗？
如果没有MQ2的存在，MCE1上的电压肯定会上升到接近MEMORY＿OK即3.3V了。

再来说一下MEMORY＿OK最低电压，如前所述，当MQ3导通时，MCE1上的充电电压是经MOR5（680）限流后进行放电的，放电的终结电压不只跟MOR5的大小有关，还跟MEMORY＿OK的高低电平的翻转时间有关。
简单地说，MEMORY＿OK并不是每次都要到MCE1放电电压至0V时才翻转。而且，MQ2也并不需要在Vｇ-ｓ等于0V时才截止。
开机后发生自动复位时最低电压实际测量MCE上约1.4V。



作者: ytg689    时间: 2015-1-19 13:46

“最新进展：直接短路MQ2后开机，显示正常，即人为使MEMOK置高电平。”

希望测一下此时MEMORY-OK的电压，是否稳定？是多少伏？本人猜测应该是高电平。


作者: ytg689    时间: 2015-1-19 13:56
“但为什么最高只有1.72V左右而不是3.3V、最低不是0V而是约0.4V呢？”
即使按版主的思路分析，箭头所指点也应该0-3.3V变化，造成1.4-1.72V变化的根本原因还是MCE1，MQ3性能不好漏电与MOR1将3.3V分压所致。
作者: 新安江    时间: 2015-1-19 14:31
本帖最后由 新安江 于 2015-1-19 14:32 编辑
ytg689 发表于 2015-1-19 13:56
“但为什么最高只有1.72V左右而不是3.3V、最低不是0V而是约0.4V呢？”
即使按版主的思路分析，箭头所指点 ...

你没仔细看清楚我上面的分析。
整个MEMORY＿OK电路外围所有元件都检查并代换过
作者: ytg689    时间: 2015-1-19 15:01
新安江 发表于 2015-1-19 14:31
你没仔细看清楚我上面的分析。
整个MEMORY＿OK电路外围所有元件都检查并代换过

按照版主的分析，我也仔细分析过，可以说合情合理，但我的分析没你那个复杂。还有下面关键问题你没回答。



“最新进展：直接短路MQ2后开机，显示正常，即人为使MEMOK置高电平。”

希望测一下此时MEMORY-OK的电压，是否稳定？是多少伏？本人猜测应该是高电平。
作者: 新安江    时间: 2015-1-19 16:40
ytg689 发表于 2015-1-19 15:01
按照版主的分析，我也仔细分析过，可以说合情合理，但我的分析没你那个复杂。还有下面关键问题你没回答。 ...

高电平稳定3.3V
作者: ytg689    时间: 2015-1-19 16:53
新安江 发表于 2015-1-19 16:40
高电平稳定3.3V

这就很能说明问题了，1.4-1.72V变化，不是你所说的由于不断复位造成的，而是MEMORY-OK信号后面造成的，建议分析MQ3，MQ2的工作条件，请提供它们的型号以便进一步分析。
作者: ZHENGSHILI123    时间: 2015-1-19 16:58
加焊BGA试试
作者: ZHENGSHILI123    时间: 2015-1-19 16:58
桥虚焊，会出现上述故障
作者: 新安江    时间: 2015-1-19 17:17
ytg689 发表于 2015-1-19 16:53
这就很能说明问题了，1.4-1.72V变化，不是你所说的由于不断复位造成的，而是MEMORY-OK信号后面造成的，建 ...

晕哦！
说过几次了，MEMORY＿OK电路外围所有元件都查过、代换过了！
不知道你是看不懂，还是真没仔细看？

短路MQ2ｇ-ｓ后（由于MOR1电阻较大56K，所以不影响南桥输出的MEMORY＿OK高电平3.3V；如果直接对地短路MEMORY＿OK，则开机不复位不跑码）MEMOK人为置高电平后，MOD1不是处于截止状态吗？

所以，MEMOK电压约等于RSTCON＃＝3.3ｖ，机器肯定正常工作啊！

之所以出现这种不断复位、重启，正是由于MEMOK不断被拉低，使RSTCON＃不断被拉低所致。
作者: liyaohao    时间: 2015-1-19 17:29
太厉害啦   
作者: ytg689    时间: 2015-1-20 10:54
新安江 发表于 2015-1-19 17:17
晕哦！
说过几次了，MEMORY＿OK电路外围所有元件都查过、代换过了！
不知道你是看不懂，还是真没仔细看 ...

首先更正版主一个N沟道场效应管的描述问题，短路MQ2，一般理解是d-s高通，而不是版主所说的g-s短路。
第二，本人前面理解是MQ2短路即为MQ2的D-S极导通，而要使MQ2导通必须其Vgs为高电平，这正符合MEMORY-OK信号是高电平，所以就有前面的分析。
第三，目前版主说短路MQ2的g-s极，就是说此时MQ2是截止的，相当于MQ2断开，其Vgs是低电平，而要满足此条件必须MEMORY-OK为低电平。（版主却说是认为置高MEMORY-OK信号，造成误解）
第四，结合第三条分析，按版主将MQ2的g-s短路，机子显示正常，此时MEMORY-OK信号应该为低电平才对。
最后，版主好像对我的发言比较急，希望冷静哦！！！！！！！
作者: ytg689    时间: 2015-1-20 10:55
新安江 发表于 2015-1-19 17:17
晕哦！
说过几次了，MEMORY＿OK电路外围所有元件都查过、代换过了！
不知道你是看不懂，还是真没仔细看 ...

首先更正版主一个N沟道场效应管的描述问题，短路MQ2，一般理解是d-s高通，而不是版主所说的g-s短路。
第二，本人前面理解是MQ2短路即为MQ2的D-S极导通，而要使MQ2导通必须其Vgs为高电平，这正符合MEMORY-OK信号是高电平，所以就有前面的分析。
第三，目前版主说短路MQ2的g-s极，就是说此时MQ2是截止的，相当于MQ2断开，其Vgs是低电平，而要满足此条件必须MEMORY-OK为低电平。（版主却说是认为置高MEMORY-OK信号，造成误解）
第四，结合第三条分析，按版主将MQ2的g-s短路，机子显示正常，此时MEMORY-OK信号应该为低电平才对。
最后，版主好像对我的发言比较急，希望冷静哦！！！！！！！
作者: ytg689    时间: 2015-1-20 11:55
慎重声明：本人以上分析都是根据楼主所提供手绘图纸和描述，没有查看其它相关资料。
作者: 新安江    时间: 2015-1-20 17:07
ytg689 发表于 2015-1-20 10:54
首先更正版主一个N沟道场效应管的描述问题，短路MQ2，一般理解是d-s高通，而不是版主所说的g-s短路。
第 ...

“最新进展：直接短路MQ2后开机，显示正常，即人为使MEMOK置高电平。”

看来的确是你没看清楚：一个是南桥输出的MEMORY＿OK信号，一个是本板特有内存兼容性设置开关信号：MEMOK！

既然是人为置MEMOK为高电平，肯定是短路MQ2的G-S极了，要是短路D-S极，怎么可能使MEMOK为高电平？
我不是急，我都把这个板买下来研究了，有的是时间，我是怕看帖的没耐心看清楚前面的内容就着急回复。
再次感谢你的回复。
作者: ytg689    时间: 2015-1-21 15:51
这样看来，第5楼答案可信。



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