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标题: iPhone5s硬盘接口类型图解 [打印本页]

作者: charting    时间: 2015-1-9 13:24
标题: iPhone5s硬盘接口类型图解
本帖最后由 charting 于 2015-1-9 13:26 编辑

就绪/忙(Ready/Busy,R/B#):假如NAND器件忙,R/B#信号将变低。应该在信号是漏极开路,需要采用上拉电阻数据每次进/出NAND寄存器都是通过16位或8位接口当进行编程操作的时候,等待编程的数据进入数据寄存器,处于在WE+信号的上升沿。在寄存器内可以随机存取或移动数据,采用专用指令以便随机存取。


1、当硬盘供电OK时,CPU对硬盘检测电压检测,产生电压检测信号通过R137 50K电阻电压是1.8V分别检测硬盘的两路总线接口ANCO,ANCI。

2、硬盘自身产生一个1.2V通过电容C50滤波。

3、CPU发出到硬盘的写信号WE两路总线接口。

4、CPU发出读信号RE,两路总线接口。

5、CPU发出指令锁存信号CLE到硬盘。

6、CPU发出地址锁存信号ALE到硬盘。

7、硬盘就绪忙信号动作R/B。

8、CPU发出数据脉冲信号DQS到硬盘,保持同步。

9、通信接口ANCO,ANCI开始通信。




除了I/O总线,NAND接口出6个主要控制信号构成:


1、芯片启动(Chip Enable,CE#):如果没有检测到CE信号,那么NAND器件就保持待机模式,不对任何控制信号作出相应。

2、写使能(Wrile Enable,WE#):WE#负责将数据、地址或指令写入NAND之中。

3、读使能(Read Enable,RE#):RE#允许输出数据缓冲器。

4、指令锁存使能(Commuud latch Enable,CLE):当CLE为高时,在WE#信号的上升,指令被锁存到NAND指令寄存器中。

5、地址锁存使能(Address latch Enable,AIE):当ALE为高时,在WE#信号的上升沿,地址被锁存到NAND地址寄存器中。

6、DQS数据选通脉冲信号,它的功能主要用来在一个时钟周期内准确的区别每个传输周期,并便于接收方准确的接收数据,每一项芯片都有一个DQS信号线,它是双向的,在写入时它用来转送由CPU发来的DQS信号,读取是则由芯片生成DQS信号,向CPU发送。完全可以说是数据的同步信号。




作者: wangniuliu    时间: 2015-1-9 13:58
这个有点深奥,修手机修到这个份上技术也真是无话可说了
作者: wtjxhtz    时间: 2015-1-9 21:31
工作原理,理论结合实操
作者: zxszmca    时间: 2015-1-11 18:43
技术不错,某正在研究
作者: aoxue1011    时间: 2015-1-29 12:58
学习了 受教了 没看懂
作者: absflash    时间: 2015-2-1 11:39
zhe这么详细的解说,学习,还没碰到过水果5
作者: 天天向商    时间: 2015-2-1 12:12
网速太慢,刷不到图片啊
作者: johnhu3786    时间: 2015-2-1 13:43
下不了了,又没有了5分
作者: absflash    时间: 2015-2-11 10:28
fenxi分析的好详细,佩服
作者: 这是我小号    时间: 2015-2-11 12:56
看不懂    看来还是要从基础学习开始
作者: hui990    时间: 2015-2-11 19:16
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
作者: maioshen    时间: 2015-2-28 20:56
很好用,谢谢经验分享
作者: 霆AIR    时间: 2015-11-8 21:28
感谢分享呀




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