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标题: iPhone5s硬盘接口类型图解 [打印本页]

作者: charting 时间: 2015-1-9 13:24
标题: iPhone5s硬盘接口类型图解
本帖最后由 charting 于 2015-1-9 13:26 编辑

就绪/忙（Ready/Busy,R/B#）：假如NAND器件忙，R/B#信号将变低。应该在信号是漏极开路，需要采用上拉电阻数据每次进/出NAND寄存器都是通过16位或8位接口当进行编程操作的时候，等待编程的数据进入数据寄存器，处于在WE+信号的上升沿。在寄存器内可以随机存取或移动数据，采用专用指令以便随机存取。

1、当硬盘供电OK时，CPU对硬盘检测电压检测，产生电压检测信号通过R137 50K电阻电压是1.8V分别检测硬盘的两路总线接口ANCO，ANCI。

2、硬盘自身产生一个1.2V通过电容C50滤波。

3、CPU发出到硬盘的写信号WE两路总线接口。

4、CPU发出读信号RE，两路总线接口。

5、CPU发出指令锁存信号CLE到硬盘。

6、CPU发出地址锁存信号ALE到硬盘。

7、硬盘就绪忙信号动作R/B。

8、CPU发出数据脉冲信号DQS到硬盘，保持同步。

9、通信接口ANCO，ANCI开始通信。

除了I/O总线，NAND接口出6个主要控制信号构成：

1、芯片启动（Chip Enable,CE#）：如果没有检测到CE信号，那么NAND器件就保持待机模式，不对任何控制信号作出相应。

2、写使能（Wrile Enable,WE#）：WE#负责将数据、地址或指令写入NAND之中。

3、读使能（Read Enable,RE#）：RE#允许输出数据缓冲器。

4、指令锁存使能（Commuud latch Enable,CLE）:当CLE为高时，在WE#信号的上升，指令被锁存到NAND指令寄存器中。

5、地址锁存使能（Address latch Enable,AIE）：当ALE为高时，在WE#信号的上升沿，地址被锁存到NAND地址寄存器中。

6、DQS数据选通脉冲信号，它的功能主要用来在一个时钟周期内准确的区别每个传输周期，并便于接收方准确的接收数据，每一项芯片都有一个DQS信号线，它是双向的，在写入时它用来转送由CPU发来的DQS信号，读取是则由芯片生成DQS信号，向CPU发送。完全可以说是数据的同步信号。

作者: wangniuliu 时间: 2015-1-9 13:58
这个有点深奥，修手机修到这个份上技术也真是无话可说了

作者: wtjxhtz 时间: 2015-1-9 21:31
工作原理，理论结合实操

作者: zxszmca 时间: 2015-1-11 18:43
技术不错，某正在研究

作者: aoxue1011 时间: 2015-1-29 12:58
学习了受教了没看懂

作者: absflash 时间: 2015-2-1 11:39
zhe这么详细的解说，学习，还没碰到过水果5

作者: 天天向商 时间: 2015-2-1 12:12
网速太慢，刷不到图片啊

作者: johnhu3786 时间: 2015-2-1 13:43
下不了了，又没有了5分

作者: absflash 时间: 2015-2-11 10:28
fenxi分析的好详细，佩服

作者: 这是我小号 时间: 2015-2-11 12:56
看不懂看来还是要从基础学习开始

作者: hui990 时间: 2015-2-11 19:16
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作者: maioshen 时间: 2015-2-28 20:56
很好用,谢谢经验分享

作者: 霆AIR 时间: 2015-11-8 21:28
感谢分享呀

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