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标题: 功率场管内阻的说明 [打印本页]

作者: huhuabin2010 时间: 2014-11-8 09:59
标题: 功率场管内阻的说明
在电路维修中经常见到各种场管（MOS管)那么他在应用时会有哪些地方需要我们注意呢？
功率场管内阻的说明：VGS G极和S极之间电压越高D极和S极导通电阻越小。如图当VGS为4.5V时，RDS为0.014欧，最大流过漏极电流15A，当VGS=10时RDS为0.0095欧
流过最大漏极电流为18A （ID：漏极电流）[attach]790933[/attach]

以上参数可以说明为什么我们在测试电源UGATE时波形时，电压一定要大于4.5V 这样管子才导通较为良好。如果低于4.5V管子内阻（RDS)很大这时我们场管发热就很大。部分电源电路为了提高供电效率，使用10V以上的电压来驱动MOS.

作者: kangyefeng 时间: 2014-11-8 20:11
研究这个对维修有帮忙吗，是开发的还不错

作者: huhuabin2010 时间: 2014-11-8 20:24
学习深一点，没坏处。可以帮助理解VGS驱动波形，判断电源芯片和场管工作是否正常。

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