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标题: 三极管和MOS管的导通条件有点不理解，请指教，谢谢 [打印本页]

作者: chaoleisky 时间: 2013-8-29 07:29
标题: 三极管和MOS管的导通条件有点不理解，请指教，谢谢
有人说NPN高电平导通，也有人说Uc>Ub>Ue时导通，有人说PNP低电平导通，也有人说Ue>Ub>Uc时导通
有人说N沟道高电平导通，也有人说VG>VS时导通，有人说P沟道低电平导通，也有说VG<VS时导通
这怎么理解呢？？

作者: jeffy 时间: 2013-8-29 07:54
三极管是电流控制元器件，MOS管是电压控制元器件。
三极管作用为放大和开关，MOS管只有开关作用。
三极管放大条件为发射极正向偏置，集电极反向偏置；
NMOS开启条件为VGS>VTH(开启电压）
PMOS开启条件为VGS<Vth(是一负值，即开启电压<0的一个值）。

作者: dyjs 时间: 2013-8-29 08:43
说简单明白一点就这样理解：三极管 NPN型 B极控制C极与E极的通道，B极电压超高C极与E极导通超强，PNP型与NPN相反，B极电压超高导通越弱，没有电压C E极是完全导通的！ MOS管道理一样，G极控制D极与S极的导通，都是控制极来控制另外两极的电压导通。

作者: Snowy 时间: 2013-8-29 09:24
很好理解啊，三极管和场管很像，npn是高电平导通，n沟道MOS管是高电平导通，pnp是低电平导通，p沟道MOS管低电平导通，两中管拿去对比一下就好理解了

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