答:IC受到的电磁干扰,主要是来自静电(ESD)。解决IC免受ESD干扰,一方面在布板时候要考虑ESD(以及EMI)的问题,另一方面要考虑增加器件进行ESD保护。目前有两种器件:压敏电阻(Varistor)和瞬态电压抑制器TVS(Transient Voltage Suppressor)。前者由氧化锌构成,响应速度相对慢,电压抑制相对差,而且每受一次ESD冲击,就会老化,直到失效。而TVS是半导体制成,响应速度快,电压抑制好,可以无限次使用。从成本角度看,压敏电阻成本要比TVS低。
在进行封装直球排布时我遇到一个问题:通常为了给信号有好的电流回流通路,减轻power/ground bounce,会在高速信号区域中按一定比例方式插入power/ground直球。我参考过intel的一些北桥或是memory control hub的封装直球分布实例,在DDR信号(高速信号)区域有的实例插入了power和ground直球,有的实例只插入了ground直球。在我看来因为DDR信号接口采用SSTL_2规范,使用的是CMOS输出电路,应该power和ground bounce都存在的,需要在DDR区域插入等比例的power和ground直球。所以对于只插入了ground直球的实例我不是很理解。
我查了一些资料,有一篇文章这么说:
most return current for a transmission line travels on the nearest reference plane regardless of the direction of current on the trace. It matters not whether the signal transitions from high-to-low or low-to-high, the return current travels on the nearest reference plane.
D类放大器中,高频脉冲中输出部分由电源电流来提供动力,同时,为了在放大器输出端产生精确的方波脉冲,供电电压必须保持稳定,其波动与噪声是严格禁止的,在这里,存储电容成为关键的元件。首先,为了保持供电电压的稳定,存储电容需要保持足够的电荷。第二,由于任何寄生电阻或干扰的影响都会从电源电容迅速地传递到输出端,必须使用Low-ESR(Effective Series Resistance)电容。PCB金属走线中的寄生电阻是相当不利于电源稳定的,应该在尽可能靠近输出部分的位置放置存储电容使寄生电阻最小化。电源供电的需求可以通过引入一个短时延迟(小于1μs)来缓解。这个延迟设置在立体声中单个的输出端或多通道系统之间。这样的延迟对于人耳来说是极为短暂的,以致于无法感觉出来。由于每个输出端的MOSFETs在不同时间进行开关动作,相当于在同一时间内减少了开关晶体管。这种技术常被称为“PWM相位”技术,并应用于许多D类IC设计中。