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标题:
CPUVDD_EN为何高电平?
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作者:
acer小林
时间:
2012-10-31 20:53
标题:
CPUVDD_EN为何高电平?
请问此电路中需要满足什么条件才能发出CPUVDD_EN为高电平?
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作者:
假面玲珑
时间:
2012-11-1 07:14
晕,VCORE_EN#为低电平有效,当VCORE_EN有效时,Q1截止,CPUVDD_EN就是高电平了。
作者:
荷尖上的蜻蜓
时间:
2012-11-1 08:12
VCORE_EN#为低电平的时候就发出了CPUDVD_EN高电平。
作者:
张洪水
时间:
2012-11-1 08:27
请问VCORE_EN#为低电平的条件又是什么呢?
作者:
咏珩
时间:
2012-11-1 08:28
正如楼上所言。VCORE_EN#为低电平时,Q1的3#4#截止,CPUVDD_EN被+12VIN拉高。
作者:
潜入深蓝
时间:
2012-11-1 08:28
当vcore_en#为低电平时,cpuvdd_en#也为低电平,加到Q1的其中一个管子的b极,此管为npn所以此管截止,12Vin 经过 R5 R27对地分压产生高电平(3.1V左右)的cpuvdd_en。
作者:
807785687
时间:
2012-11-1 09:23
我就知道为高 其他的没去管过
作者:
志诚本本维修
时间:
2012-11-1 10:16
学习了 呵呵
作者:
acer小林
时间:
2012-11-1 10:33
作者:
lengshui
时间:
2012-11-1 10:38
这个很简单,实地培训学员,你上课干什么了
作者:
Rngon
时间:
2012-11-1 11:46
VCORE_EN#为低电平时,CPUVDD_EN才会为高,就是老师所说的高低高。
作者:
acer小林
时间:
2012-11-1 12:37
lengshui 发表于 2012-11-1 10:38
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这个很简单,实地培训学员,你上课干什么了
打酱油了·····
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