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标题: 关于内存颗粒和容量的问题 [打印本页]

作者: 青岛小子 时间: 2008-7-28 21:50
标题: 关于内存颗粒和容量的问题
请教，我收了十几条内存条，颗粒hynix 621a hy5du56822at-d43 一个内存条上面双面有16个颗粒，按常规计算这条内存应是512的，但内存条的标贴上面写的是256M 请教这是什么问题呀，这些内存都是开机黑屏！

作者: 偶遇 时间: 2008-7-28 23:32
2种可能：
1：补位条就是颗粒芯片有缺陷的组合在一起降级用的每面只有128M左右能使用的
2：作过手脚的假条子，颗粒全是坏了的标签是胡乱贴上去的
这种条子通常是不能修好的做材料都够呛

作者: 青岛小子 时间: 2008-7-29 10:17
如果才能知道,这个条子是真实颗粒型号呀?

作者: 贝贝 时间: 2008-7-29 20:07
方法1：拆下一颗芯片，红表笔接地，测阻值，即知数据位宽。
方法2：对照附件里的图，看PCB上数据引脚的排列，即知位宽。
点不亮，也不报警，且非865主板的话，应该是有坏位了。在865板上用好条带，用RST测。

作者: 贝贝 时间: 2008-7-29 20:10
接上文回复中所说的附表

IC腳位圖_DDR_644_328_1616.rar

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作者: 青岛小子 时间: 2008-7-29 20:42
这个图有什么用呀，看不太懂呀！

作者: 贝贝 时间: 2008-7-29 21:12
这是内存芯片级维修必须掌握的。最重要的是数据位DQ脚的排列，不同位宽的排列方法有差别。识别了颗粒的位宽，才知道你条子上降容的原因。
假设：如果你的条子PCB上每个颗粒焊点上只有4 个DQ脚被引出并焊连在排阻上，那它就是4位的颗粒，即是它降容的原因。如果颗粒上的LOGO没有被打磨过，那么这颗粒是从8位降位而来的。如果打磨过，那么那个JS的IQ有问题，套用了8位颗粒的LOGO。我遇到过类似的。
现在我基本上不用此图也知道颗粒的位宽，看一眼拆下颗粒的PCB即知。

作者: 青岛小子 时间: 2008-7-30 18:16
也就是有几个DQ就是几位呀,很感谢你,又学到了不少知识!

作者: 死小白 时间: 2008-8-4 00:57

作者: 不明不白 时间: 2008-8-22 14:47
我为人人,人人为我,共享技术,共同进步!

作者: 竹竿 时间: 2008-12-10 12:53
标题: 回复 #5 贝贝的帖子
16mb*16和64mb*4是什么意思呀

作者: 竹竿 时间: 2008-12-10 12:54
标题: 回复 #8 青岛小子的帖子
谢谢你，我明白了正找呢

作者: 高人甲 时间: 2008-12-14 17:06
有几个DQ就是几位呀,这个正确吗？

作者: 踩着天使的胖子 时间: 2008-12-14 18:56
贝贝，我看资料理解的是如果有一个排阻引出线（四条）到就是四位的，两个排阻（八条）线就是八位的，不知道理解对了没有，不过排阻不是在旁边一眼可以看到的么？难道在芯片下面？手上没有内存对照看看，谢谢解答

作者: 飓风眼泪 时间: 2009-3-10 01:31
x谢谢分享!!

作者: 周周的火车 时间: 2009-3-10 13:08
谢谢5楼了，正好检测一下我的内存。

作者: 天狂 时间: 2009-3-11 11:24
谢谢啊 dddddddddddddddd

作者: 山水学院 时间: 2009-3-12 14:53
有一个排阻引出线（四条）到就是四位的，两个排阻（八条）线就是八位的，不知道理解对了没有
----我也是这样理解的，不知道对不对

作者: 南昌电信 时间: 2009-3-16 12:58
好深奥！！好深奥！！好深奥！！

作者: 猫猫头 时间: 2009-4-17 12:57
呵呵,原来如此,谢谢,学习了!!!

作者: 天创科技 时间: 2009-4-17 22:02
为什么有人说非要拆下芯片来看啊？

作者: 晶一求精 时间: 2009-9-8 21:59
目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。
编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X
主要含义：
第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） × 16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。

Micron内存颗粒

Micron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
含义：
MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。
A2——内存内核版本号。
TG——封装方式，TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。

西门子内存颗粒

目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。

HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；
-8——表示该内存的工作频率是100MHz。
例如：
1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。
1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（兆字节）。

Kingmax内存颗粒

Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。

容量备注：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度；
KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。
Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
-7A——PC133 /CL=2；
-7——PC133 /CL=3；
-8A——PC100/ CL=2；
-8——PC100 /CL=3。
例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。

HYUNDAI（现代）

现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no
其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；b代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm
TSOP-II）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。
例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4Krefresh cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100

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