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标题: （己解决）华擎P4i65GV 内存供电MOS管击穿，R261烧断，Q21/431T击穿 [打印本页]

作者: 旗舰电脑 时间: 2008-7-9 22:02
标题: （己解决）华擎P4i65GV 内存供电MOS管击穿，R261烧断，Q21/431T击穿
换了MOS管，但是R261冒烟，查Q21/431T也击穿了，谁修过华擎P4i65GV这个板的，大家给过R261的参数，接LM324的8脚。大家帮下忙。此报己报废。因为一上电就自动开机，且北桥温度直上百度，手根本不能碰。目测南桥的印字有烧痕发现偏黄，说明南桥内部开机电路己有问题。加上北桥温度飞涨，换上的MOS管的焊锡都自己熔化了，直接用镊子把MOS管取下了。说明电流过大。宣布此板死刑

[ 本帖最后由旗舰电脑于 2008-7-9 22:34 编辑 ]

作者: 长治维修 时间: 2008-7-9 22:05
找一费板子,看一下差不多的,更换就可以吧...

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