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标题: 内存倍增容量改制实践 [打印本页]

作者: 贝贝 时间: 2007-4-30 05:39
标题: 内存倍增容量改制实践

将8位双面印刷版背面留空的，或是16位单面留空的内存倍增容量。
可以将两条32M的小内存拼成一条64M的内存，也可以将两条64M的内存拼合成128M的内存。需要256M的、512M的也一样类推。
找两条颗粒容量相同的内存（最好是同一个品牌和频率），将其中一条上的颗粒拆下，焊到另一条的背面或是单面空位上，补齐相关的电阻电容（你自己找到目标内存相同的条子查找相关元件参数），经过MEMDOC和RST等工具软件检测通过即可使用。
注意，SD内存可以不修改SPD内容，但是DDR内存一定要修改SPD。

本帖做法只适用于有一定经验的维修人员，恕不解答一些极简单的基础性的问题。完毕。

作者: 学习了 时间: 2007-5-5 00:59
为啥不修改SPD内容

作者: 天若有情 时间: 2007-5-9 01:19
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作者: 后来者 时间: 2007-5-15 20:53
提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

作者: 贝贝 时间: 2007-5-16 09:47

原帖由 神话ソ杀手 于 2007-5-9 23:33 发表
哈哈,这方法我实践过,失败了,通电芯片发热,后来还原,以前的条子也不亮了,所以请大家不要乱试,

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本方法只适合于专业维修人员。烧颗粒的原因是颗粒焊接方向弄反了。

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