迅维网

标题: 华硕845P4S533 集显，C1内存不过维修成功！！！ [打印本页]

作者: 57620590 时间: 2011-9-5 17:20
标题: 华硕845P4S533 集显，C1内存不过维修成功！！！
刚来一客户，我打开机子，插上电源一看显示器无显示，于是插上诊断卡，看C1不过，于是换内存，换了N个还是不行，然后就是客户说板子坏了，我就进维修室维修，手电亮了一下内存供电1.1V正常，根据经验来看应该是内存旁边的二极管，我仔细一看果然是2个二极管有点烧毁的痕迹，二极管型号是：9915H,于是我换掉了，OK了，正常跑码，因为资金的缘故老板没有提供VIDEO，所以没有图片给你们看！！！希望也能给你们带来帮助！！！！！

作者: 盛军 时间: 2011-9-5 17:38
谢谢，有学到东东

作者: 夜乌鸦 时间: 2011-9-5 17:44
9915H应该是N沟道MOS管吧

作者: 夏、一抹阳光。 时间: 2011-9-5 17:49
学习了谢谢

作者: milkway2008 时间: 2011-9-5 18:45
受教了多谢

作者: 没钱不行 时间: 2011-9-5 19:28
一般是安反内存造成的。

作者: liaozhenfan 时间: 2011-9-5 21:23
是2个都换掉了，还是只换了一个

作者: liuzeng898 时间: 2011-9-5 21:31
提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

作者: 为谁沉沦 时间: 2011-9-5 21:46
驱动板可能大些.

作者: llxy766 时间: 2011-9-6 08:18
内存供电1.1?????

作者: xiaoye7420 时间: 2011-9-6 10:22
写得模糊~~看得迷糊~

作者: 57620590 时间: 2011-9-6 10:34

辣b！小心！发表于 2011-9-5 22:36

登录/注册后看高清大图

学习顶顶顶

只要有1V以上的供电，算是正常的

作者: 57620590 时间: 2011-9-6 10:42

夜乌鸦发表于 2011-9-5 17:44

登录/注册后看高清大图

9915H应该是N沟道MOS管吧

不是，这个是P沟道的场效应管，基本特点：
　　场效应管属于电压控制元件，这一点类似于电子管的三极管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的，与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有如下特点：　　场效应管
（1）场效应管是电压控制器件，它通过UGS来控制ID；　　（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。　　（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；　　（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；　　（5）场效应管的抗辐射能力强；　　（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
工作原理：
　　场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以门极与沟道间的pn结形成的反偏的门极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很场效应管
大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。　　在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。

作者: 57620590 时间: 2011-9-6 10:43
了解了吧，我从网上找的最详细的给你看了

作者: 57620590 时间: 2011-9-6 10:45

加强自己的技术，马上去讯维基地去，哈哈哈

欢迎光临迅维网 (https://www.chinafix.com/)