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新手必看 新手必看常用电子元器件参考资料
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作者:
dbw2174
时间:
2011-7-5 10:15
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新手必看 新手必看常用电子元器件参考资料
常用电子元器件参考资料常用电子元器件参考资料常用电子元器件参考资料常用电子元器件参考资料常用电子元器件参考资料常用电子元器件参考资料常用电子元器件参考资料常用电子元器件参考资料常用电子元器件参考资料常用电子元器件参考资料常用电子元器件参考资料常用电子元器件参考资料常用电子元器件参考资料常用电子元器件参考资料常用电子元器件参考资料常用电子元器件参考资料常用电子元器件参考资料常用电子元器件参考资料常用电子元器件参考资料常用电子元器件参考资料常用电子元器件参考资料常用电子元器件参考资料常用电子元器件参考资料常用电子元器件参考资料常用电子元器件参考资料常用电子元器件参考资料常用电子元器件参考资料常用电子元器件参考资料常用电子元器件参考资料常用电子元器件参考资料常用电子元器件参考资料常用电子元器件参考资料常用电子元器件参考资料常用电子元器件参考资料常用电子元器件参考资料常用电子元器件参考资料
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作者:
957646129
时间:
2011-7-5 10:29
里面都是什么东西 有电源IC的资料吗
作者:
liuxiongcheng
时间:
2011-7-5 10:47
楼主能列举几个吗,分不好赚啊,能发个清晰些的图来看下也好,谢谢
作者:
睿派
时间:
2011-7-5 11:07
不会又是骗人的吧
作者:
saiwei
时间:
2011-7-5 11:16
LZ 是为了挣分吧
作者:
dbw2174
时间:
2011-7-5 14:27
3.常用整流桥的主要参数
表14 几种单相桥式整流器的参数
参数
型号 不重复正向浪涌电流/A 整流
电流/A 正向电压降/V 反向漏电/A 反向工作电压/V 最高工作
结温/oC
QL1 1 0.05
1.2
10
常见的分档为:25,50,100,200,400,500,600,700,800,900,1000
130
QL2 2 0.1
QL4 6 0.3
QL5 10 0.5
QL6 20 1
QL7 40 2
15
QL8 60 3
4.常用稳压二极管的主要参数
表15 部分稳压二极管的主要参数
测试条件
参
型 数
号 工作电流为稳定电流 稳定电压下 环境温度<50oC 稳定电流下 稳定电流下 环境温度<10oC
稳定电压
/V 稳定电流/mA 最大稳定电流/mA 反向漏电流 动态电阻/ 电压温度系数/10-4/oC 最大耗散功率/W
2CW51 2.5~3.5
10 71 5 60 -9
0.25
2CW52 3.2~4.5 55 2 70 -8
2CW53 4~5.8 41 1 50 -6~4
2CW54 5.5~6.5 38
0.5 30 -3~5
2CW56 7~8.8 27 15 7
2CW57 8.5~9.8 26 20 8
2CW59 10~11.8
5 20 30 9
2CW60 11.5~12.5 19 40 9
2CW103 4~5.8 50 165 1 20 -6~4
1
2CW110 11.5~12.5 20 76 0.5 20 9
2CW113 16~19 10 52 0.5 40 11
2CW1A 5 30 240 20 1
2CW6C 15 30 70 8 1
2CW7C 6.0~6.5 10 30 10 0.05 0.2
5.常用半导体三极管的主要参数
(1) 3AX51(3AX31)型PNP型锗低频小功率三极管
表16 3AX51(3AX31)型半导体三极管的参数
原 型 号 3AX31
测 试 条 件
新 型 号 3AX51A 3AX51B 3AX51C 3AX51D
极限参数 PCM(mW) 100 100 100 100 Ta=25oC
ICM(mA) 100 100 100 100
TjM(oC) 75 75 75 75
BVCBO(V) 30 30 30 30 IC=1mA
BVCEO(V) 12 12 18 24 IC=1mA
直流参数 ICBO(A) 12 12 12 12 VCB=-10V
ICEO(A) 500 500 300 300 VCE=-6V
IEBO(A) 12 12 12 12 VEB=-6V
hFE 40~150 40~150 30~100 25~70 VCE=-1V IC=50mA
交流参数 f(kHz) 500 500 500 500 VCB=-6V IE=1mA
NF(dB) - 8 - - VCB=-2V IE=0.5mA f=1kHz
hie(k) 0.6~4.5 0.6~4.5 0.6~4.5 0.6~4.5 VCB=-6V IE=1mA f=1kHz
hre(10) 2.2 2.2 2.2 2.2
hoe(s) 80 80 80 80
hfe - - - -
hFE色标分档 (红)25~60;(绿)50~100;(蓝)90~150
管 脚 B
E C
(2)3AX81型PNP型锗低频小功率三极管
表17 3AX81型PNP型锗低频小功率三极管的参数
型 号 3AX81A 3AX81B 测 试 条 件
极限参数 PCM(mW) 200 200
ICM(mA) 200 200
TjM(oC) 75 75
BVCBO(V) -20 -30 IC=4mA
BVCEO(V) -10 -15 IC=4mA
BVEBO(V) -7 -10 IE=4mA
直流参数 ICBO(A) 30 15 VCB=-6V
ICEO(A) 1000 700 VCE=-6V
IEBO(A) 30 15 VEB=-6V
VBES(V) 0.6 0.6 VCE=-1V IC=175mA
VCES(V) 0.65 0.65 VCE=VBE VCB=0 IC=200mA
hFE 40~270 40~270 VCE=-1V IC=175mA
交 流
参 数 f(kHz) 6 8 VCB=-6V IE=10mA
hFE色标分档 (黄)40~55 (绿)55~80 (蓝)80~120 (紫)120~180 (灰)180~270 (白)270~400
管 脚 B
E C
(3)3BX31型NPN型锗低频小功率三极管
表18 3BX31型NPN型锗低频小功率三极管的参数
型 号 3BX31M 3BX31A 3BX31B 3BX31C 测 试 条 件
极限参数 PCM(mW) 125 125 125 125 Ta=25oC
ICM(mA) 125 125 125 125
TjM(oC) 75 75 75 75
BVCBO(V) -15 -20 -30 -40 IC=1mA
BVCEO(V) -6 -12 -18 -24 IC=2mA
BVEBO(V) -6 -10 -10 -10 IE=1mA
直流参数 ICBO(A) 25 20 12 6 VCB=6V
ICEO(A) 1000 800 600 400 VCE=6V
IEBO(A) 25 20 12 6 VEB=6V
VBES(V) 0.6 0.6 0.6 0.6 VCE=6V IC=100mA
VCES(V) 0.65 0.65 0.65 0.65 VCE=VBE VCB=0 IC=125mA
hFE 80~400 40~180 40~180 40~180 VCE=1V IC=100mA
交 流
参 数 f(kHz) - - 8 f465 VCB=-6V IE=10mA
hFE色标分档 (黄)40~55 (绿)55~80 (蓝)80~120 (紫)120~180 (灰)180~270 (白)270~400
管 脚 B
E C
3DG100(3DG6) 型NPN型硅高频小功率三极管
表19 3DG100(3DG6) 型NPN型硅高频小功率三极管的参数
原 型 号 3DG6
测 试 条 件
新 型 号 3DG100A 3DG100B 3DG100C 3DG100D
极限参数 PCM(mW) 100 100 100 100
ICM(mA) 20 20 20 20
BVCBO(V) 30 40 30 40 IC=100µA
BVCEO(V) 20 30 20 30 IC=100µA
BVEBO(V) 4 4 4 4 IE=100A
直流参数 ICBO(A) 0.01 0.01 0.01 0.01 VCB=10V
ICEO(A) 0.1 0.1 0.1 0.1 VCE=10V
IEBO(A) 0.01 0.01 0.01 0.01 VEB=1.5V
VBES(V) 1 1 1 1 IC=10mA IB=1mA
VCES(V) 1 1 1 1 IC=10mA IB=1mA
hFE 30 30 30 30 VCE=10V IC=3mA
交流参数 fT(MHz) 150 150 300 300 VCB=10V IE=3mA f=100MHz RL=5
KP(dB) 7 7 7 7 VCB=-6V IE=3mA f=100MHz
Cob(pF) 4 4 4 4 VCB=10V IE=0
hFE色标分档 (红)30~60 (绿)50~110 (蓝)90~160 (白)>150
管 脚 B
E C
(5) 3DG130(3DG12) 型NPN型硅高频小功率三极管
表20 3DG130(3DG12) 型NPN型硅高频小功率三极管的参数
原 型 号 3DG12
测 试 条 件
新 型 号 3DG130A 3DG130B 3DG130C 3DG130D
极限参数 PCM(mW) 700 700 700 700
ICM(mA) 300 300 300 300
BVCBO(V) 40 60 40 60 IC=100µA
BVCEO(V) 30 45 30 45 IC=100µA
BVEBO(V) 4 4 4 4 IE=100A
直流参数 ICBO(A) 0.5 0.5 0.5 0.5 VCB=10V
ICEO(A) 1 1 1 1 VCE=10V
IEBO(A) 0.5 0.5 0.5 0.5 VEB=1.5V
VBES(V) 1 1 1 1 IC=100mA IB=10mA
VCES(V) 0.6 0.6 0.6 0.6 IC=100mA IB=10mA
hFE 30 30 30 30 VCE=10V IC=50mA
交流参数 fT(MHz) 150 150 300 300 VCB=10V IE=50mA f=100MHz RL=5
KP(dB) 6 6 6 6 VCB=–10V IE=50mA f=100MHz
Cob(pF) 10 10 10 10 VCB=10V IE=0
hFE色标分档 (红)30~60 (绿)50~110 (蓝)90~160 (白)>150
管 脚 B
E C
9011~9018塑封硅三极管
表21 9011~9018塑封硅三极管的参数
型 号 (3DG)
9011 (3CX)
9012 (3DX)
9013 (3DG)
9014 (3CG)
9015 (3DG)
9016 (3DG)
9018
极限参数 PCM(mW) 200 300 300 300 300 200 200
ICM(mA) 20 300 300 100 100 25 20
BVCBO(V) 20 20 20 25 25 25 30
BVCEO(V) 18 18 18 20 20 20 20
BVEBO(V) 5 5 5 4 4 4 4
直流参数 ICBO(A) 0.01 0.5 0,5 0.05 0.05 0.05 0.05
ICEO(A) 0.1 1 1 0.5 0.5 0.5 0.5
IEBO(A) 0.01 0.5 0,5 0.05 0.05 0.05 0.05
VCES(V) 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.35
VBES(V) 1 1 1 1 1 1
hFE 30 30 30 30 30 30 30
交流参数 fT(MHz) 100 80 80 500 600
作者:
dbw2174
时间:
2011-7-5 14:27
3.常用整流桥的主要参数
表14 几种单相桥式整流器的参数
参数
型号 不重复正向浪涌电流/A 整流
电流/A 正向电压降/V 反向漏电/A 反向工作电压/V 最高工作
结温/oC
QL1 1 0.05
1.2
10
常见的分档为:25,50,100,200,400,500,600,700,800,900,1000
130
QL2 2 0.1
QL4 6 0.3
QL5 10 0.5
QL6 20 1
QL7 40 2
15
QL8 60 3
4.常用稳压二极管的主要参数
表15 部分稳压二极管的主要参数
测试条件
参
型 数
号 工作电流为稳定电流 稳定电压下 环境温度<50oC 稳定电流下 稳定电流下 环境温度<10oC
稳定电压
/V 稳定电流/mA 最大稳定电流/mA 反向漏电流 动态电阻/ 电压温度系数/10-4/oC 最大耗散功率/W
2CW51 2.5~3.5
10 71 5 60 -9
0.25
2CW52 3.2~4.5 55 2 70 -8
2CW53 4~5.8 41 1 50 -6~4
2CW54 5.5~6.5 38
0.5 30 -3~5
2CW56 7~8.8 27 15 7
2CW57 8.5~9.8 26 20 8
2CW59 10~11.8
5 20 30 9
2CW60 11.5~12.5 19 40 9
2CW103 4~5.8 50 165 1 20 -6~4
1
2CW110 11.5~12.5 20 76 0.5 20 9
2CW113 16~19 10 52 0.5 40 11
2CW1A 5 30 240 20 1
2CW6C 15 30 70 8 1
2CW7C 6.0~6.5 10 30 10 0.05 0.2
5.常用半导体三极管的主要参数
(1) 3AX51(3AX31)型PNP型锗低频小功率三极管
表16 3AX51(3AX31)型半导体三极管的参数
原 型 号 3AX31
测 试 条 件
新 型 号 3AX51A 3AX51B 3AX51C 3AX51D
极限参数 PCM(mW) 100 100 100 100 Ta=25oC
ICM(mA) 100 100 100 100
TjM(oC) 75 75 75 75
BVCBO(V) 30 30 30 30 IC=1mA
BVCEO(V) 12 12 18 24 IC=1mA
直流参数 ICBO(A) 12 12 12 12 VCB=-10V
ICEO(A) 500 500 300 300 VCE=-6V
IEBO(A) 12 12 12 12 VEB=-6V
hFE 40~150 40~150 30~100 25~70 VCE=-1V IC=50mA
交流参数 f(kHz) 500 500 500 500 VCB=-6V IE=1mA
NF(dB) - 8 - - VCB=-2V IE=0.5mA f=1kHz
hie(k) 0.6~4.5 0.6~4.5 0.6~4.5 0.6~4.5 VCB=-6V IE=1mA f=1kHz
hre(10) 2.2 2.2 2.2 2.2
hoe(s) 80 80 80 80
hfe - - - -
hFE色标分档 (红)25~60;(绿)50~100;(蓝)90~150
管 脚 B
E C
(2)3AX81型PNP型锗低频小功率三极管
表17 3AX81型PNP型锗低频小功率三极管的参数
型 号 3AX81A 3AX81B 测 试 条 件
极限参数 PCM(mW) 200 200
ICM(mA) 200 200
TjM(oC) 75 75
BVCBO(V) -20 -30 IC=4mA
BVCEO(V) -10 -15 IC=4mA
BVEBO(V) -7 -10 IE=4mA
直流参数 ICBO(A) 30 15 VCB=-6V
ICEO(A) 1000 700 VCE=-6V
IEBO(A) 30 15 VEB=-6V
VBES(V) 0.6 0.6 VCE=-1V IC=175mA
VCES(V) 0.65 0.65 VCE=VBE VCB=0 IC=200mA
hFE 40~270 40~270 VCE=-1V IC=175mA
交 流
参 数 f(kHz) 6 8 VCB=-6V IE=10mA
hFE色标分档 (黄)40~55 (绿)55~80 (蓝)80~120 (紫)120~180 (灰)180~270 (白)270~400
管 脚 B
E C
(3)3BX31型NPN型锗低频小功率三极管
表18 3BX31型NPN型锗低频小功率三极管的参数
型 号 3BX31M 3BX31A 3BX31B 3BX31C 测 试 条 件
极限参数 PCM(mW) 125 125 125 125 Ta=25oC
ICM(mA) 125 125 125 125
TjM(oC) 75 75 75 75
BVCBO(V) -15 -20 -30 -40 IC=1mA
BVCEO(V) -6 -12 -18 -24 IC=2mA
BVEBO(V) -6 -10 -10 -10 IE=1mA
直流参数 ICBO(A) 25 20 12 6 VCB=6V
ICEO(A) 1000 800 600 400 VCE=6V
IEBO(A) 25 20 12 6 VEB=6V
VBES(V) 0.6 0.6 0.6 0.6 VCE=6V IC=100mA
VCES(V) 0.65 0.65 0.65 0.65 VCE=VBE VCB=0 IC=125mA
hFE 80~400 40~180 40~180 40~180 VCE=1V IC=100mA
交 流
参 数 f(kHz) - - 8 f465 VCB=-6V IE=10mA
hFE色标分档 (黄)40~55 (绿)55~80 (蓝)80~120 (紫)120~180 (灰)180~270 (白)270~400
管 脚 B
E C
3DG100(3DG6) 型NPN型硅高频小功率三极管
表19 3DG100(3DG6) 型NPN型硅高频小功率三极管的参数
原 型 号 3DG6
测 试 条 件
新 型 号 3DG100A 3DG100B 3DG100C 3DG100D
极限参数 PCM(mW) 100 100 100 100
ICM(mA) 20 20 20 20
BVCBO(V) 30 40 30 40 IC=100µA
BVCEO(V) 20 30 20 30 IC=100µA
BVEBO(V) 4 4 4 4 IE=100A
直流参数 ICBO(A) 0.01 0.01 0.01 0.01 VCB=10V
ICEO(A) 0.1 0.1 0.1 0.1 VCE=10V
IEBO(A) 0.01 0.01 0.01 0.01 VEB=1.5V
VBES(V) 1 1 1 1 IC=10mA IB=1mA
VCES(V) 1 1 1 1 IC=10mA IB=1mA
hFE 30 30 30 30 VCE=10V IC=3mA
交流参数 fT(MHz) 150 150 300 300 VCB=10V IE=3mA f=100MHz RL=5
KP(dB) 7 7 7 7 VCB=-6V IE=3mA f=100MHz
Cob(pF) 4 4 4 4 VCB=10V IE=0
hFE色标分档 (红)30~60 (绿)50~110 (蓝)90~160 (白)>150
管 脚 B
E C
(5) 3DG130(3DG12) 型NPN型硅高频小功率三极管
表20 3DG130(3DG12) 型NPN型硅高频小功率三极管的参数
原 型 号 3DG12
测 试 条 件
新 型 号 3DG130A 3DG130B 3DG130C 3DG130D
极限参数 PCM(mW) 700 700 700 700
ICM(mA) 300 300 300 300
BVCBO(V) 40 60 40 60 IC=100µA
BVCEO(V) 30 45 30 45 IC=100µA
BVEBO(V) 4 4 4 4 IE=100A
直流参数 ICBO(A) 0.5 0.5 0.5 0.5 VCB=10V
ICEO(A) 1 1 1 1 VCE=10V
IEBO(A) 0.5 0.5 0.5 0.5 VEB=1.5V
VBES(V) 1 1 1 1 IC=100mA IB=10mA
VCES(V) 0.6 0.6 0.6 0.6 IC=100mA IB=10mA
hFE 30 30 30 30 VCE=10V IC=50mA
交流参数 fT(MHz) 150 150 300 300 VCB=10V IE=50mA f=100MHz RL=5
KP(dB) 6 6 6 6 VCB=–10V IE=50mA f=100MHz
Cob(pF) 10 10 10 10 VCB=10V IE=0
hFE色标分档 (红)30~60 (绿)50~110 (蓝)90~160 (白)>150
管 脚 B
E C
9011~9018塑封硅三极管
表21 9011~9018塑封硅三极管的参数
型 号 (3DG)
9011 (3CX)
9012 (3DX)
9013 (3DG)
9014 (3CG)
9015 (3DG)
9016 (3DG)
9018
极限参数 PCM(mW) 200 300 300 300 300 200 200
ICM(mA) 20 300 300 100 100 25 20
BVCBO(V) 20 20 20 25 25 25 30
BVCEO(V) 18 18 18 20 20 20 20
BVEBO(V) 5 5 5 4 4 4 4
直流参数 ICBO(A) 0.01 0.5 0,5 0.05 0.05 0.05 0.05
ICEO(A) 0.1 1 1 0.5 0.5 0.5 0.5
IEBO(A) 0.01 0.5 0,5 0.05 0.05 0.05 0.05
VCES(V) 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.35
VBES(V) 1 1 1 1 1 1
hFE 30 30 30 30 30 30 30
交流参数 fT(MHz) 100 80 80 500 600
作者:
dbw2174
时间:
2011-7-5 14:28
他是表格的形式 你们看看吧 对新手很有用的
作者:
jzfd
时间:
2011-7-5 14:37
乖乖10分一次·····························
作者:
liuxiongcheng
时间:
2011-7-5 15:44
就前面几个符号有点用 其他的没用 亏大了
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