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标题: 国外集成电路命名方法 [打印本页]

作者: 里拉内 时间: 2007-4-13 11:42
标题: 国外集成电路命名方法
器件型号举例说明 ( 缩写字符：AMD 译名：先进微器件公司（美）)
AM
29L509
P
C
B

AMD首标
器件编号
封装形式
温度范围
分类

"L"：低功耗； D：铜焊双列直插  C：商用温度，没有标志的
"S"：肖特基；（多层陶瓷）；（0-70）℃或为标准加工
"LS"：低功耗肖特基； L：无引线芯片载体：（0-75）℃；产品，标有
21：MOS存储器； P：塑料双列直插； M：军用温度， "B"的为已
25：中规范（MSI）； E：扁平封装（陶瓷扁平）；（-55-125）℃；老化产品。
26：计算机接口； X：管芯； H：商用，
27：双极存储器或EPROM ； A：塑料球栅阵列；（0-110）℃；
28：MOS存储器理； B：塑料芯片载体 I：工业用，
29：双极微处理器； C、D：密封双列；（-40～85 ）℃；
54/74：同25； E：薄的小引线封装； N：工业用，
60、61、66：模拟，双极； G：陶瓷针栅陈列；（-25～85）℃；
79：电信； Z、Y、U、K、H：塑料 K：特殊军用，
80：MOS微处理器；四面引线扁平；（-30～125）℃；
81、82：MOS和双极处围电路； J：塑料芯片载体（PLCC）； L：限制军用，
90：MOS； L：陶瓷芯片载体（LCC）；（-55-85）℃＜
91：MOS RAM： V、M：薄的四面 125℃。
92：MOS；引线扁平；
93：双极逻辑存储器 P、R：塑料双列；
94：MOS； S：塑料小引线封装；
95：MOS外围电路； W：晶片；
1004：ECL存储器；也用别的厂家的符号：
104：ECL存储器； P：塑料双列；
PAL：可编程逻辑陈列； NS、N：塑料双列；
98：EEPROM； JS、J：密封双列；
99：CMOS存储器。 W：扁平；
  R：陶瓷芯片载体；
  A：陶瓷针栅陈列；
  NG：塑料四面引线扁平；
  Q、QS：陶瓷双列。

作者: 神话ソ杀手 时间: 2007-4-13 20:01
我想知道我们国内一些专业的命名,看一个电路图全是代码,看不懂

作者: 张先生 时间: 2007-4-15 08:02
稍微编辑一下，使其容易看懂一点

器件型号举例说明 ( 缩写字符：AMD 译名：先进微器件公司（美）)
AM  29L509 P C B AMD

首标器件编号封装形式                                                             温度范围                分类
"L"：低功耗； D：铜焊双列直插                                                 C：商用温度，       没有标志的
"S"：肖特基；（多层陶瓷）；                                                 （0-70）℃或          为标准加工
"LS"：低功耗肖特基； L：无引线芯片载体：                               （0-75）℃；          产品，标有
21：MOS存储器； P：塑料双列直插；                                     M：军用温度，       "B"的为已
25：中规范（MSI）； E：扁平封装（陶瓷扁平）；                      （-55-125）℃；    老化产品。
26：计算机接口； X：管芯；                                                 H：商用，
27：双极存储器或EPROM ； A：塑料球栅阵列；                         （0-110）℃；
28：MOS存储器理； B：塑料芯片载体                                     I：工业用，
29：双极微处理器； C、D：密封双列；                                     （-40～85 ）℃；
54/74：同25； E：薄的小引线封装；                                        N：工业用，
60、61、66：模拟，双极； G：陶瓷针栅陈列；                         （-25～85）℃；
79：电信； Z、Y、U、K、H：塑料                                           K：特殊军用，
80：MOS微处理器；四面引线扁平；                                        （-30～125）℃；
81、82：MOS和双极处围电路； J：塑料芯片载体（PLCC）；       L：限制军用，
90：MOS； L：陶瓷芯片载体（LCC）；                                     （-55-85）℃
91：MOS RAM： V、M：薄的四面                                              125℃。
92：MOS；引线扁平；
93：双极逻辑存储器 P、R：塑料双列；
94：MOS； S：塑料小引线封装；
95：MOS外围电路； W：晶片；
1004：ECL存储器；也用别的厂家的符号：
104：ECL存储器； P：塑料双列；
PAL：可编程逻辑陈列； NS、N：塑料双列；
98：EEPROM； JS、J：密封双列；
99：CMOS存储器。 W：扁平；
  R：陶瓷芯片载体；
  A：陶瓷针栅陈列；
  NG：塑料四面引线扁平；
  Q、QS：陶瓷双列。

[ 本帖最后由张先生于 2007-4-15 08:32 编辑 ]

作者: 张先生 时间: 2007-4-15 08:30
国外集成电路命名方法(电路系列缩写符号,全面介绍了国外集成电路命名方法)，这是网上能找到的最全的资料，为元器件查找必备。

[ 本帖最后由张先生于 2007-4-15 08:47 编辑 ]

国外集成电路命名方法.rar

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