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标题: P和N [打印本页]

作者: zkhq750 时间: 2011-4-12 20:49
标题: P和N
P和N 。这个和三极管类似，P沟道MOS的导通条件是栅极电压比漏极电压低5V以上，N沟道MOS的导通条件是栅极电压比源极电压高5V以上。记住这句话

作者: 维修公司 时间: 2011-4-12 21:23
本帖最后由维修公司于 2011-4-12 21:27 编辑

5V的说法不确切，，，它不同于普通的三极管，因为普通三极管导通时是PN结的正偏置，所以一般是0.6~0.7V，，，而MOS是电压控制元件，，所以不同的控制电压，其导通程度是不一样的，，具体的导通情况可参考其DATASHEET

作者: 维修公司 时间: 2011-4-12 21:43
本帖最后由维修公司于 2011-4-12 21:44 编辑

SI4431 在VGS电压3V多一点时，电流就可以达6A了，，

作者: 维修公司 时间: 2011-4-12 21:48
IRF是个双N的MOS管，
25C时，Q1 3V已经有10A多了，Q2 在3V时已经10A大多了，，

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