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标题: IBM T30电路问题 [打印本页]

作者: 韦永忠 时间: 2010-5-3 11:24
标题: IBM T30电路问题
如图可以肯定7413复合管是好的，N沟管，实测G极为0V，S，D都为12V

作者: 梧桐叶 时间: 2010-5-3 11:30
lz想说什么

作者: xiejunli 时间: 2010-5-3 12:41
本身就是低电平开启

作者: 梧桐叶 时间: 2010-5-3 13:15
ls 这个是n沟道的 lz想告诉我们这里是低电平了两端怎么还是12v吗

作者: 云中无月 时间: 2010-5-3 13:52
去掉它看看S和D的电压。

作者: 韦永忠 时间: 2010-5-3 14:28

本身就是低电平开启
xiejunli 发表于 2010-5-3 12:41

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N沟MOS，是低电平开启？

作者: 逸风 时间: 2010-5-3 15:05
论坛里曾经有一个几十楼的大贴，讨论过这个问题
地址我不记得了
说简单点，意思如下：
看了那个二极管没有，注意一下那个二极管的方向
即使G为低电平，虽然管子截止，但是因为那个二极管的正向导通，所以场管输出低于输入电压0.7V左右的电压
，提供一个低电流的VINT16，以此供TB62501芯片的36 37脚的升压回路，以产生二十几V的DCIN_DRV，来驱动Q36
这是以T40为例子

至于在T30中
我认为Q8这样设计的原因是让通过一个小电流的M_BAT_PWR_A,为Q10的G极提供导通电压（R483 R638分压后约3C，个人认为此时M2_DRV应该被拉到地）

总之，IBM的这种设计，就是为后级提供一个电流比较小的电压，去驱动后级一些需要预先开启的芯片或者信号

个人观点，仅供参考

作者: 韦永忠 时间: 2010-5-3 15:35
楼上说得好，实测Q8 D和S极，电压相差0.7V左右，因为是刚开始学修本本，有些还是理解不了

作者: 梧桐叶 时间: 2010-5-3 23:27
http://www.chinafix.com.cn/thread-142167-1-1.html
这个帖子你看看吧

作者: tianhang888 时间: 2010-5-4 00:06
N沟道的是G级高电平导通,P沟道的是G级低电平导通,基础知识很重要.自己套吧~~~

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