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标题: 关于笔记本场管的导通截止问题请教~~ [打印本页]

作者: 小富    时间: 2010-4-12 12:42
标题: 关于笔记本场管的导通截止问题请教~~
本帖最后由 小富 于 2010-4-12 12:47 编辑

[size=111%]§ 1:   N沟道MOS的导通条件:VG> VS;
[size=111%]§P沟道MOS的导通条件:VG VS;如下图

  2: VGS VT(开启电压):MOS管工作在截止区,漏源电流IDS=0,   输出电压VDSVDD
,MOS管处于“断开”状态;
[size=111%]§VGS > VT(开启电压):MOS管处于“导通”状态, VDVS   如下图:


  想请教下师傅们帮我讲解下上图2个问题··因为对笔记本主板的这些管子的导通那些需要什么~~截止又怎么样~不是很清楚··
谁可以帮我讲解下·谢谢·

作者: 王永强    时间: 2010-4-12 12:49
告诉你过段时间也忘了,在学物理时是不是做实验的东西记忆很深刻呢?
作者: 电子新秀    时间: 2010-4-12 12:58
场管确实有点麻烦,最好的办法还是多操作
作者: gd85    时间: 2010-4-12 13:03
确实理论上的导通截止死记住也不是个办法,最主要的是知道场效应管的作用,一般的作用就是做开关功能嘛。不同的是高电平导通还是低电平导通的问题了。这个就需要看是N沟道还是P沟道了。这个就要看管子的符号了。
作者: 小富    时间: 2010-4-12 19:55
导通的话还知道点啊·
N沟道的导通条件:UG>US 管的时候导通
P道的导通条件:UG<US 管的时候导通   当UG=US或在UG>US就是截止·不知道这样是不是对的·
是的话·不知N沟道的管子截止是要在什么情况下··请求指点一2··谢谢·
作者: 小富    时间: 2010-4-12 21:54
6# 喻天王

应该是G极的电压小于S极的电压的时候就是截止啊··
  不应该是Ov吧···呵呵·不知道对不对··




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