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标题: Memtest V1.7 ic fail 標識方法 [打印本页]

作者: 科技園 时间: 2007-9-14 13:23
标题: Memtest V1.7 ic fail 標識方法
一、for x 8 顆粒fail標試方法：

1.    從failing address看最後一碼，如果是數字0 or 8 代表fail ic在module前面四顆；如果數字是 4 or c 代表fail ic在module後面四顆。

2.    前後分出來後，再來是看那一顆。從Err-Bits下面有8個數字，下表為01000000，每二碼分別代表一顆ic，數字”00”代表顆粒ok，不是”00”代表顆粒fail，順序由左至右分別為4~1顆。

3.    如果有正背面問題，再加看failing address 後面第五碼，如果是0~7代表正面；如果是8~f代表背面。

4.    利用上述說明，那下表module fail ic為背面第四顆。

補充一、這看法有一定機率，不是100%，正面約8成，背面則6成準確率。

補充二、此看法適用於公板pcb，如果pcb不同則不一定適用。

補充三、只適用於單通道module。

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作者: 科技園 时间: 2007-9-14 13:24
精品吧,看大家的評價!

作者: 阿里 时间: 2007-9-22 15:06
謝謝 rst好像比較方便

作者: 心在飞翔 时间: 2007-9-24 22:20
经验不错，但现在有修改MEMTEST86+的内核，制作出来的程序，可以直观显示坏的MEMORY。

作者: 昕青科技 时间: 2007-12-29 19:52
好东西,收藏了,谢谢,DDRII是一样的吗?

作者: 企鹅电脑 时间: 2008-1-2 13:13
好东西，一直在用Memtest
楼主的讲解---精辟

作者: 又一人 时间: 2008-3-4 22:38
如果是*16bit　IC做的单名条，也可以按这个方法吗？

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