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标题: SR芯片实时检测MOS管D-S电压判断次级绕组极性 [打印本页]

作者: u1615278 时间: 昨天 20:57
标题: SR芯片实时检测MOS管D-S电压判断次级绕组极性
本帖最后由 u1615278 于 2026-10-28 21:20 编辑

R 芯片实时检测 MOS 管 D-S 电压，判断次级绕组极性：该导通的时候给栅极高电平打开 MOS，该截止的时候关断 MOS；导通 / 关断时序和变压器次级交流波形同步，实现整流，和二极管作用一样，但损耗低很多德州仪器

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