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标题: 禾纳AET3152AP P沟道高级MOSFET，AET3152AP中文资料，禾纳代理商，替代TDM2307方案 [打印本页]

作者: 13699759787 时间: 2025-6-19 11:18
标题: 禾纳AET3152AP P沟道高级MOSFET，AET3152AP中文资料，禾纳代理商，替代TDM2307方案

禾纳推出的AET3152AP是一款高性能MOSFET，具有VDS=-30V和ID=-40A的特性，典型导通电阻为11mΩ（VGS=-10V，ID=-10A）和15mΩ（VGS=-4.5V，ID=-5A）。该器件支持快速切换，具备低电阻特性，且不含卤素和锑，符合Rohs标准。其工作温度范围为-55℃至125℃，采用PDFN3030封装。AET3152AP广泛应用于交换机切换以及便携式/台式机中的电源管理，提供高效可靠的性能。

-30VDS/±25VGS P沟道高级模式MOSFET

特色

VDS=-30V,ID=-40A

RDS (ON)=11mΩ (TYP.)VGS=-10V, ID=-10A

RDS (ON)=15mΩ (TYP.)VGS=-4.5V, ID=-5A

快速切换

低电阻

不含卤素和锑，符合Rohs标准

绝对最大额定值

包装信息

应用

交换机切换

便携式/台式机中的电源管理

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