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标题: 禾纳ATE3156AP/ATE3156AS,P沟道增强型MOSFET，替代AO4805方案 [打印本页]

作者: 13699759787 时间: 前天 15:10
标题: 禾纳ATE3156AP/ATE3156AS,P沟道增强型MOSFET，替代AO4805方案

ATE3156AP/ATE3156AS是一款高性能MOSFET，具有VDS=-30V和ID=-10A的特性，典型导通电阻为15mΩ（VGS=-10V，ID=-10A）和19mΩ（VGS=-4.5V，ID=-5A）。该器件支持快速切换，具备低电阻特性，且不含卤素和锑，符合Rohs标准。其工作温度范围为-55℃至125℃，采用PDFN3030和SOP8封装。禾纳ATE3156AP/ATE3156AS广泛应用于交换机切换以及便携式/台式机中的电源管理，提供高效可靠的性能。

ATE3156AP/ATE3156AS特色

VDS=-30V,ID=-10A

RDS (ON)=15mΩ (TYP.)VGS=-10V, ID=-5A

RDS (ON)=19mΩ (TYP.)VGS=-4.5V, ID=-5A

可靠且坚固耐用

雪崩额定

低电阻

ATE3156AP/ATE3156AS应用

电源管理：便携设备、台式机电源系统

开关电路：高频率开关电源、DC-DC转换器

电机驱动：低压大电流负载控制

作者: 迅维小张 时间: 前天 16:13
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