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标题:
为什么大短路以后会连带隔离管一起击穿?
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作者:
nsxt99
时间:
2024-12-11 15:33
标题:
为什么大短路以后会连带隔离管一起击穿?
问个小白问题,想了好久想不通。
如题,为什么大短路以后会连带隔离管一起击穿?
作者:
朱泉金
时间:
2024-12-11 16:56
朋友,你这个问题要写论文的
我也是小白,我尝试用我小白的知识回答你。跳过分子学原子学,半导体器件是利用控制电子和空穴的移动来工作的,就是把半导体创造p半导体;n半导体和pn结,一边是电子一边是空穴,电子走到空穴就观测到电流可以讲 产生电流。设计器件也有工作在击穿状态的,击穿有热击穿;电击穿;光击穿;齐纳击穿;雪崩击穿。小白的知识大体的理解为流过器件的电流大于设计阈值,就是电子密集量超过PN结的耐压,使得PN节损坏,接着PN半导体也过耐,一同损坏出现完全短路或开路。电路中是配对mos管一个损坏,那电流就大于阈值,所以也能造成另一个出问题。
作者:
nsxt99
时间:
2024-12-12 09:47
朱泉金 发表于 2024-12-11 16:56
朋友,你这个问题要写论文的我也是小白,我尝试用我小白的知识回答你。跳过分子学原子学,半导体器件是 ...
兄弟你是清华还是北大毕业的博士生?怎么你说的我是不明觉厉
作者:
hyy5124
时间:
2024-12-12 11:38
朱泉金 发表于 2024-12-11 16:56
朋友,你这个问题要写论文的我也是小白,我尝试用我小白的知识回答你。跳过分子学原子学,半导体器件是 ...
是里面那个二极管过流击穿了,不是PN节击穿,为啥不是PN节击穿,因为烧的都是第一个管子,
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