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标题: 哪个大神给详细分析下这个5VDUAL的产生电路 [打印本页]

作者: 3llin    时间: 2022-5-3 19:08
标题: 哪个大神给详细分析下这个5VDUAL的产生电路
PWOK信号是由电源产生,5V高电平
5VSB是待机
2SK3919是N沟道MOS
P2003是P沟道MOS
我主要不明白,当PWOK为高时,VCC为5V,MOS管应该是D-S导通,图纸是是S-D导通

                               
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作者: lajidong    时间: 2022-5-3 20:25
MOS管应该是D-S导通,图纸是是S-D导通

最后这句只有你自己能理解。
PWOK大于2.5V时U17A输出5V高电平,U17B输出12V高电平,Q37导通。

作者: a215834393    时间: 2022-5-4 00:34
不要读死书,图纸是对的,sd导通时,p2003这个时候是截止的,所以5vsb就不通了,这个时候只有vcc5,这个电路设计的目的就是这样。
作者: hongxing69    时间: 2022-5-4 07:54
只知道有电压没电压 原理不是太懂,大神指教
作者: 过期的可乐    时间: 2022-5-4 08:53
1.MOS管是双向导通的
2.你的图不完整
觉得有帮助请加分

PWOK小于5VSB,KA393输出低电平的5VDL_G1,控制P MOS管Q293导通,5VSB转换为5VDUAL(这里的还受到P_EN信号的控制)
PWOK大于5VSB,KA393开漏输出,经过12V上拉,控制N MOS管Q37导通,VCC转换为5VDUAL


作者: 3llin    时间: 2022-5-4 09:12
我的理解是,q37是个n沟道的管子,它有个体二极管是可以S极流向D极(一般是D极流向S极),但是有压降。当电源送出vcc,vcc5,12V后,电源延时送出PWOK,U17送出高电平到Q37使S极到D极完全导通,抵消压降。Q237是P沟道的,其G极为高,Q237截止,从而达到双供电的切换。有时间做个小实验看看
作者: 逍遥枷锁    时间: 2022-5-4 09:12
是看作了mos管的二极管体吧,mos应该可以双向导通的,而不是二极管单向导通
作者: 逍遥枷锁    时间: 2022-5-4 09:18
本帖最后由 逍遥枷锁 于 2022-5-4 11:05 编辑
lajidong 发表于 2022-5-3 20:25
最后这句只有你自己能理解。
PWOK大于2.5V时U17A输出5V高电平,U17B输出12V高电平,Q37导通。

谢谢,非常感谢。
作者: 过期的可乐    时间: 2022-5-4 09:32
逍遥枷锁 发表于 2022-5-4 09:18
u17b输出应该是5V,既然输出有12V经过8.2k电阻上拉,因比较器而输出2脚电压依然为5V,个人理解。

393原理
+大于-时,开漏输出,既不输出高电平也不输出低电平
作者: 逍遥枷锁    时间: 2022-5-4 11:02
lajidong 发表于 2022-5-3 20:25
最后这句只有你自己能理解。
PWOK大于2.5V时U17A输出5V高电平,U17B输出12V高电平,Q37导通。

好的,错了,谢谢,既然是开漏输出,那就12V抱歉。
作者: 逍遥枷锁    时间: 2022-5-4 11:03
过期的可乐 发表于 2022-5-4 09:32
393原理
+大于-时,开漏输出,既不输出高电平也不输出低电平

好的,谢谢,是开漏就12对的。
作者: 曹凯电脑    时间: 2022-5-4 12:38
不懂,帮忙顶一下
作者: fuqingping    时间: 2022-5-4 20:56
本帖最后由 fuqingping 于 2022-5-4 21:52 编辑

这个问题我也试着来回答一下。
参考《电路与模拟电子技术》第二版,殷瑞祥主编。
在alldatasheet上查该芯片的型号,见到它的图形符号,应该是N沟道增强型绝缘栅场效应管。
可以这样来理解D极和S极的导通情况。
G极比S极的电压大得越多,那么S极核D极之间的电阻就越小。
现在G极电压为12V,S极电压为5V,压差为7V,从数据手册中我们得到,当G极电压高于S极电压5V以上时,D极与S极之间的电阻只有5毫欧姆左右,所以可以看作D极和S极直接通过导线相连。
这就是这个电子元件的特性,我们知道就好,不必纠结是D导通到S,还是S导通到D。
作者: 3llin    时间: 2022-5-4 21:26
fuqingping 发表于 2022-05-04 20:56
这个问题我也试着来回答一下。
参考《电路与模拟电子技术》第二版,殷瑞祥主编。
在alldatasheet上查该芯片的型号,见到它的图形符号,应该是N沟道增强型绝缘栅场效应管。
可以这样来理解D极和S极的导通情况。
G极比S极的电压大得越多,那么S极核D极之间的电阻就越小。
现在G极电压为12V,S极电压为5V,压差为7V,从数据手册中我们得到,当G极电压高于S极电压5V以上是,D极与S极之间的电阻只有5毫欧姆左右,所以可以看作D极和S极直接通过导线相连。
这就是这个电子元件的特性,我们知道就好,不必纠结是D导通到S,还是S导通到D。

感谢,学习了
作者: 3llin    时间: 2022-5-4 22:19
fuqingping 发表于 2022-05-04 20:56
本帖最后由 fuqingping 于 2022-5-4 21:52 编辑

这个问题我也试着来回答一下。
参考《电路与模拟电子技术》第二版,殷瑞祥主编。
在alldatasheet上查该芯片的型号,见到它的图形符号,应该是N沟道增强型绝缘栅场效应管。
可以这样来理解D极和S极的导通情况。
G极比S极的电压大得越多,那么S极核D极之间的电阻就越小。
现在G极电压为12V,S极电压为5V,压差为7V,从数据手册中我们得到,当G极电压高于S极电压5V以上时,D极与S极之间的电阻只有5毫欧姆左右,所以可以看作D极和S极直接通过导线相连。
这就是这个电子元件的特性,我们知道就好,不必纠结是D导通到S,还是S导通到D。

感谢,学习了,我也去翻翻这本书看看
作者: 2428694280    时间: 2022-5-4 22:58
3楼说得没错。
作者: x4477    时间: 2022-5-4 23:20
待机用下面P管 开机用上面N管
基础有点差
作者: wHJ8958    时间: 2022-5-5 10:03
感谢分享
作者: kk2011    时间: 2022-5-6 08:03
MOS管具有双向导通性,多看看保护隔离电路就知道




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