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标题: 技术问，mosfet替换，高参数替换低参数 [打印本页]

作者: 胡大帅比 时间: 2022-2-5 12:21
标题: 技术问，mosfet替换，高参数替换低参数
手头有几张显卡，都是2个MDU1511作为下管，1个MDU1514作为上管。
技术手册图如下，1511比1514参数更加优秀。
如果我要补上管1514，能否用参数更好的1511代替？？
手头无1514，买的话要节后，1511蛮多。
谢谢大佬们！！

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作者: 胡大帅比 时间: 2022-2-5 14:00
自顶！求求回复呀！

作者: 大海电子维修 时间: 2022-2-5 15:46
可以的，实践出真知，只要参数比原来大，完全没问题！

作者: 流光2 时间: 2022-2-5 15:58
没问题，试试就知道，原板比Ｘ宝上面的假货参数好多了。

作者: 北回归线工作室 时间: 2022-2-5 23:10
应该可以吧可以试一试

作者: Poko 时间: 2022-2-6 07:41
可以代换，你这个叫降额设计

作者: 小李001 时间: 2022-2-6 14:17
路过学习一下

作者: Carillon 时间: 2022-2-6 16:17
用1511代换完全没有问题的，从手册上来看1511的所有性能都优于或等于1514，所以可以代换

作者: qq59828196 时间: 2022-2-6 16:24
理论上是完全没问题的

作者: awanlin 时间: 2022-2-6 18:46
只能高换低不能低换高，

作者: 月夜宁静 时间: 2022-2-6 20:07
考虑过这个问题没有？

主控IC有个灾难模式（有些IC的PDF里有注释，有些只有超压和超流说明），当上行MOS击穿时，IC会控制下行管和其它相试图稳定电压。

说白了就是其余的下行管一起拉这只击穿的上行管的电流。可如果上行管的参数过高，电流过大，在那瞬间，没等电压电流拉下来，核心显存先挂了。

所以每一相的上下行管在设计时要考虑到负载总功耗需要的电流数，分摊到每一相，再计算出上下行管的参数。

所以建议还是原值代换比较稳妥！

作者: 安和1 时间: 2022-2-7 00:23
路过学习一下上下管的设计原理

作者: AZASR半月 时间: 2022-2-7 03:51

月夜宁静发表于 2022-02-06 20:07
考虑过这个问题没有？

主控IC有个灾难模式（有些IC的PDF里有注释，有些只有超压和超流说明），当上行MOS击穿时，IC会控制下行管和其它相试图稳定电压。

说白了就是其余的下行管一起拉这只击穿的上行管的电流。可如果上行管的参数过高，电流过大，在那瞬间，没等电压电流拉下来，核心显存先挂了。

所以每一相的上下行管在设计时要考虑到负载总功耗需要的电流数，分摊到每一相，再计算出上下行管的参数。

所以建议还是原值代换比较稳妥！

每一项差别不能太大，不然高低负荷交替下对于12v+波动太大，反而造成其他低性能mos管电压波动，从而造成你换的高性能的mos被动波动，而造成击穿。
按电气性能来说，可以替换第一组和最后一组的上管mos，而不要替换当中pwm项上下管的mos和所有下管mos

作者: -我心飞翔 时间: 2022-2-7 09:18
一般频率，耐压，和最大ID电流差不多，就可以代换试一下，个别下管注意一下RDSON

作者: 胡大帅比 时间: 2022-2-7 16:04

月夜宁静发表于 2022-2-6 20:07
考虑过这个问题没有？

主控IC有个灾难模式（有些IC的PDF里有注释，有些只有超压和超流说明），当上行MOS ...

我才疏学浅，学习了，听你的！！谢谢你！！！

作者: 胡大帅比 时间: 2022-2-7 16:05

AZASR半月发表于 2022-2-7 03:51
每一项差别不能太大，不然高低负荷交替下对于12v+波动太大，反而造成其他低性能mos管电压波动，从而造成 ...

谢谢您！学习了！！！

作者: 胡大帅比 时间: 2022-2-7 16:06

AZASR半月发表于 2022-2-7 03:51
每一项差别不能太大，不然高低负荷交替下对于12v+波动太大，反而造成其他低性能mos管电压波动，从而造成 ...

能否解释下这一句“按电气性能来说，可以替换第一组和最后一组的上管mos，而不要替换当中pwm项上下管的mos和所有下管mos”，请指教，谢谢您

作者: lajidong 时间: 2022-2-7 23:31
不建议把下管当上管用。下管总是选用电流更大、导通电阻更小的，上管却不是这样选择的。MOS管还得看动态特性的，就是pdf里的Dynamic Characteristics，上管的电容Ciss总是选择比下管小很多的。

作者: AZASR半月 时间: 2022-2-8 00:05

胡大帅比发表于 2022-02-07 16:06
能否解释下这一句“按电气性能来说，可以替换第一组和最后一组的上管mos，而不要替换当中pwm项上下管的mos和所有下管mos”，请指教，谢谢您

前面不是说了吗，高低负荷交替，各项pwm的开启，和pwm频率升降，会造成mos12+供电的波动，以及mos不同型号之间造成的内阻大小，电流是会往低的地方跑的

作者: Carillon 时间: 2022-2-8 00:30

Carillon 发表于 2022-2-6 16:17
用1511代换完全没有问题的，从手册上来看1511的所有性能都优于或等于1514，所以可以代换

受教了，刚开始只注意到了极限参数；1514的动态特性确实是更好的，我又看了下手册中的测试条件是1MHz，而开关电源通常的工作频率一般都在几百KHz，所以我想一般情况下的代用应该没啥问题，当然为了严谨起见还是用同型号的元件较好。

作者: 沈元 时间: 2022-2-8 00:41
应该可以换的吧

作者: 放飞小鸟 时间: 2022-2-8 08:33
这些mos的参数我就没看明白过，前辈们就只告诉我n管换n管，p管换p管，我也确实是这样做的，虽然修好了很多卡，但在这里又学习很多，谢谢分享

作者: 大喵喵 时间: 2022-2-8 09:01
听说b站维修撕最近有个换mos翻车的还没去看咋回事

作者: 百花村软件园 时间: 2022-2-16 17:46
可以代换，你这个叫降额设计

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