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标题: 我的学习资料之场效应管（新手必备知识）！ [打印本页]

作者: 林中笑 时间: 2007-8-12 18:27
标题: 我的学习资料之场效应管（新手必备知识）！
　　这两天想学习修主板，就把自已以前的电子技术书找出来，从场效应管，三极管开始学！基础很
重要，我不急一天学一点，这是我的学习资料，拿出来共享一下，有不完整或都不对的地方，请高手
给修改一下！今天发第一篇场效管。
　　电子元件之场管结型场效应管

　　一：场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）

二：场效应管工做原理
是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件),具有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小, 场效应管是一种单极型晶体管,它只有一个P-N结,在零偏压的状态下,它是导通的,如果在其栅极(G)和源极(S)之间加上一个反向偏压(称栅极偏压)在反向电场作用下P-N变厚(称耗尽区)沟道变窄,其漏极电流将变小,,反向偏压达到一定时,耗尽区将完全沟道"夹断",此时,场效应管进入截止状态,此时的反向偏压我们称之为夹断电压,用Vp表示,它与栅极电压Vgs和漏源电压Vds之间可近以表示为Vpo=Vps+|Vgs|,这里|Vgs|是Vgs的绝对值.见输入输出特性。
　　
三：结型场应管
　　结场型场直流输入电阻可达10^6~~~~10^9欧姆，工做原理栅源电压Ugs控制漏极电源iD。

      此图为N道沟，结场型场效应管。S源极、D漏极、G栅极（控制极）
从结型场效应管的结构可看出，我们在D、S间加上电压UDS，则在源极和漏极之间形成电流ID。我们通过改变栅极和源极的反向电压UGS，则可以改变两个PN结阻档层(耗尽层)的宽度。由于栅极区是高掺杂区，所以阻挡层主要降在沟道区。故|UGS|的改变，会引起沟道宽度的变化，其沟道电阻也随之而变，从而改变了漏极电流ID。如|UGS|上升，则沟道变窄，电阻增加，ID下降。反之亦然。所以改变UGS的大小，可以控制漏极电流。这是场效应管工作的基本原理。

结型场应管的特点
(1)  是结型栅型效应管,它只能工作在反向偏置状态
(2)  结型栅场效应管应用的电路可以使用绝缘栅型场效应管,但绝缘栅增强型场效管应用的电路不能用结型栅场效应管代。

作者: 林中笑 时间: 2007-8-12 18:27
四：场效管的输出特性结场型）
　　
(1)、输出特性是指在栅源电压Ugs一定的情况下，漏极电流iD与漏极电压Udsp 之间的关系。

I区，栅源电压愈负，输出特性愈倾斜，漏源间的等效电阻越大。所以在此区场管可看作一个栅源电压Ugs控制的可变电阻。称为可变电阻区。(VP<0)
II区，为饱和区或恒流区。场效管的放大作用就在这个区，所以称为放大区。也叫线性放大区。VP<=Vgs<=0(VP为漏极电流ID与栅源电压VGS交汇点，虚线处）。
III区，当Uds增至一定的数值后（漏极特性），Id迅速上升。此区称为击穿区。进入此区发生雪崩击穿。甚至烧毁。

(2)、转移特性：在一定的漏源电压Uds下，栅源电压Ugs对漏极电流ip的控制特性。见图a)。转移特性时，横线是Ugs，夹断电压VP是横线处的－3.4V。
   VP<=Vgs<=0时，工做在饱和区即放大区

作者: 林中笑 时间: 2007-8-12 18:28
五、N道沟增强型绝缘栅场效应管(MOSFET)。
　  绝缘栅场效应管又叫做表面场效应管，栅极G处于不导电（绝缘）状态，最高直流输入电阻可达10＾5欧姆。

　　
   N道沟增强型绝缘栅场效应管
(1)、输出特性曲线：栅源电压Ugs一定的情况下，漏极电流iD与漏极电压Udsp 之间的关系。与结型场效应管一样分为三个不同的区域，见结型输出特性曲线图。

(2)、转移特性曲线，见下图。
　　
绝缘栅场效应管的特点
(1)  是绝缘栅型场效应管,它可工作在反向偏置,零偏置和正向偏置状态。
(2)  绝缘栅型场效应管又分为增强型和耗尽型两种,我们称在正常情况下导通的为耗尽型场效应管,在正常情况下断开的称增强型效应管。
(3)  增强型场效应管特点:当Vgs=0时Id(漏极电流)=0,只有当Vgs增加到某一个值时才开始导通,有漏极电流产生.并开始出现漏极电流时的栅源电压Vgs为开启电压（结型管为夹断电压VP）。
　（4）耗尽型场效应管的特点,它可以在正或负的栅源电压(正或负偏压)下工作,而且栅极上基本无栅流(非常高的输入电阻)。

　

六、场效应管的主要参数
　（1）夹断电压Vp，当Ugs=0时，－Uds＝Vp。其时，通常Uds为某一因定值如10V,漏极电流iD等于一个微小的电流（50uA）时，栅源之间所加的电压为夹断电压。在增强型场效应管中，没有夹断电压，而用开启电压来表征管子的特性。

(2)　Ugs＝0的情况下，当Uds＞|Vp|时的漏极电流称为饱和漏电流IDSS。通常令Uds＝10V、Ugs=0V时测出的iD就是IDSS。在转移特性上就是UGS=0时的漏极电流。
对于结型场效应管来说，IDSS也是管子所能输出的最大电流。

(3)　最大漏电流电压V(BR)DS,指发生雪崩击穿时，iD开始急剧上升时的VDS值。由于加到PN结上的反向偏压与Vgs有关，因此Vgs愈负、此值越小。

(4) 最大栅源电压V（BR）GS、指输入PN结反向电流开始急剧增加时的Ugs。

　（5）直流输入电阻RGS、在漏源之间短路的条件下，栅源之间加一定电压时的栅源直流电阻就是直流输入电阻RGS。

   场效应管输出特性曲线

(6)  低频互导（跨导）gm、在UDS＝常数时，漏源电流的微变量和引志这个变化的栅源电压的微变量之比称为互导（称为跨导）。互导反应了栅源电压对漏极电流的控制能力，相当于转移特性上工作点的斜率。

作者: 林中笑 时间: 2007-8-12 18:31
有两张格式为GIF的图没有发上来，还有后续场效管的测量，我还没有完全搞明白
所以先把我搞明白的发上来，请大家指教！修改！最终的目的要简洁易懂！最后问
一下大家画电路图，能跟WORD兼容，是用什么软件画的！WORD！WPS！怎么画
有学习资料吗！

作者: 极限编程 时间: 2007-8-12 19:01
温故而知新，可以复习一下！

作者: 显卡内存爱好者 时间: 2007-8-13 00:30
呵呵..好长细.又可以复习了!!!谢谢

作者: 林中笑 时间: 2007-8-13 16:23
七、如何检测场效应管的好坏？
场效应管N沟道和P沟道判断方法
（1）场效应管的极性判断，管型判断（如图）
G极与D极和S极正反向均为∞
（2）场效应管的好坏判断
把数字万用表打到二极管档，用两表笔任意触碰场效应管的三只引脚，好的场效应管最终测量结果只有一次有读数，并且在500左右。如果在最终测量结果中测得只有一次有读数，并且为“0”时，须用表笔短接场效应管识引脚，然后再测量一次，若又测得一组为500左右读数时，此管也为好管。不符合以上规律的场效应管均为坏管。

场效应管的代换原则（注：只适合主板上场效应管的代换）
一般主板上采用的场效管大多为绝缘栅型增强型N沟通最多，其次是增强型P沟道，结型管和耗尽型管一般没有，所以在代换时，只须在大小相同的情况下，N沟道代N沟道，P沟道代P沟道即可。

作者: 柯明 时间: 2007-8-31 16:04
强烈支持,好的要大家一起分享

作者: 雨过天晴 时间: 2007-8-31 16:15
刚开始学习,正在找!!谢谢!!

作者: 欣欣向荣 时间: 2007-9-2 17:05
顶顶顶,感谢楼主!!!!谢谢!!!!!

作者: 无心者最 时间: 2007-9-2 17:52
我要跟着您努力学习维修。。。。

作者: 小旭 时间: 2007-9-4 22:59
基础性的东西,一定要扎实啊,谢谢LZ分享

作者: 不耻下问 时间: 2007-9-4 23:23
看你的文章，今天终于把剩下的不懂的搞懂了，真的感谢了，以后多发些……

作者: 海上看云起 时间: 2007-9-26 12:33
来这里系统学习1下知识

作者: 骄傲的小马 时间: 2007-10-2 21:14
真正的认真的,学了一下,谢谢LZ分享

作者: 宋威 时间: 2007-10-6 16:44
配上图就更好了

作者: 初入江湖 时间: 2007-10-6 17:23
学习中
掌握中
谢谢

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