科普一个知识:program disturb和read disturb,顾名思义,就是读写闪存的时候,会影响数据。详情请看这篇文章:
在SSD读取数据时,给浮栅施加的电压会有概率导致浮栅极进入电子,这就导致同一个block上page读,自己没事,但其他没有被读的page数据出错。由于有额外的电子进入,会导致晶体管阈值电压右移,由于晶体管阈值电压偷偷的发生了变化(变大了),闪存内部逻辑如果还是按照之前的参考电压加在控制极上,然后去判断数据的话,肯定会发生误判,也就是读到错误的数据。 阈值电压右移的速度,也就是Read Disturb影响数据的程度,一方面与你读该Block上数据的次数有关,读的越多,右移越多,影响越大,另一方,还跟你block的擦除次数有关,擦写次数越多,绝缘效果越差,电子进入浮栅极就越容易,read Disturb的影响也就越大。
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