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标题: for循环编写延时函数的方法 [打印本页]

作者: jintony 时间: 2017-4-30 07:55
标题: for循环编写延时函数的方法
很多初学者对于程序中ms级延时函数的编写方法比较疑惑，其原理和方式虽然简单，但是却没有相关资料。这里用一个例程详细介绍一下。
过程参考如下：
在编译器下建立一个新项目，也可以利用已有项目。此过程中需要注意，单片机晶振的选择，因为for循环里指令的执行时间和晶振有直接关系，本例中晶振使用11.0592M。

编写一段关于延时的函数，主要利用for循环，代码如下：
void delay_ms(unsigned int ms)
{
unsigned int i;
unsigned char j;
for(i=0;i<ms;i++)
{
for(j=0;j<200;j++);
for(j=0;j<102;j++);
}

}
其中ms是输入参数，如果输入1，就是要求程序延时1ms。
j变量是调整程序运行的时间参数。调整j的数值，使1次循环的时间在1ms。
将此程序编译通过，然后利用软件仿真，调整时间。

两次时间差就是延时函数使用的时间，如果与1ms相差比较多，用户可以调整j参数的值，使延时时间尽量接近1ms。如增大j的值for(j=0;j<105;j++);
此方法得出延时函数，在晶振不同的情况下，延时时间会不准。另外这种方法不是完全精确的延时，所以不要太深研究误差的问题。软件调试结果，这个程序的延时时间为：1.01779ms，一般的单片机系统中都可以应用。

作者: wangyan0461 时间: 2017-4-30 09:02
不知道你这帖子的用意，如果要说清楚延时如何计算，应该把晶振频率计算成时间，并说明指令运行周期，是几个周期，我想用数学表达更好吧，你这样也许简单了，但还是会很多人看不明白你这延时1MS是如何计算来的，

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