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据某网站报道称，制造处理器、图形芯片和其他芯片的传统方法最终将“失去动力”。据本周在ISSCC(国际固态电路会议)上发言的英特尔研究人员称，未来数年芯片产业仍然有上升空间。 英特尔高级研究员马克·玻尔(Mark Bohr)将于周一晚上在一次研讨会上讨论把制造工艺由当前的14纳米提高到10纳米或更先进工艺所面临的挑战。 PCWorld指出，玻尔在与记者举行的电话会议上表示，英特尔认为，当前半导体技术的发展速度能维持到10纳米(预计2016年)之后。无需转向成本高昂、高深的制造技术——例如紫外线激光，厂商就可以生产出7纳米(预计时间为2018年)芯片。 今年是摩尔定律问世50周年。摩尔定律是由英特尔创始人戈登·摩尔(Gordon Moore)提出的，即芯片上的晶体管密度每18个月翻一番。在现实世界中，芯片每2年左右发展一代，速度更快，能耗更低。 硅芯片生产工艺相当复杂。芯片由光在硅片上“蚀刻”而成，为了改进芯片制造工艺，芯片厂商必须不断缩减光线波长。如果芯片厂商做不到这一点——或不能经济地做到这一点，芯片改进的进程就会停止。 英特尔：14纳米“Broadwell”技术逐步走上正轨 英特尔在ISSCC上将宣读5篇论文，其中3篇与14纳米工艺有关。英特尔还将参与与10纳米工艺有关的研讨会。 PCWorld表示，受制造问题影响，英特尔被迫把14纳米“Broadwell”芯片发布时间推迟了数个月，希望在转向10纳米工艺时避免“重蹈覆辙”。在被问到原因时玻尔表示，“我认为我们可能低估了需要学习的东西，像14纳米工艺这样的技术，需要进行更长时间的试验。这会导致产品开发速度比预期的要慢，提高成品率需要更长的时间。但现在我们的成品率已经相当高。” 玻尔表示，英特尔试验性10纳米生产线的速度比14纳米生产线快50%，这将使10纳米工艺开发工作能按计划进行。 对于PC市场来说这是个好消息。但是，如果芯片产业能维持制造技术未来数年不发生重大变化，这将是一个更好的消息。 |
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