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·逻辑晶体管密度达到了100.8MTr/mm2，也就是每平方毫米1亿个晶体管，晶体管密度是14nm工艺的2.7倍多。
·10nm FinFET运用的是第三代FinFET晶体管工艺技术 ·10nm工艺的最小栅极距（gate pitch）从之前的70nm缩小到了54nm。 ·10nm工艺的最小金属间距（metal pitch）从之前的52nm缩小到了36nm。 Intel 10nm工艺亮点： ·与现有10nm及即将问世的7nm工艺相比，英特尔10nm工艺具有最好的间距缩小指标 ·在后端制程BEOL中首次联合运用金属铜及钌，后者是一种贵金属 ·在contact及BEOL端运用了自对齐曝光方案（self-aligned patterning scheme） 规划亮点： ·通过6.2-Track高密度库实现了超级缩放（Hyperscaling ） ·Cell级别的COAG（Contact on active gate）技术 关于Intel 10nm工艺的优势，之前我们也介绍过，而且英特尔CEO科赞奇也解释过他们的10nm工艺为什么难产的问题，一大原因就是他们的10nm工艺指标定的太高了，10nm工艺100MTr/mm2的晶体管密度实际上跟台积电、三星的7nm工艺差不多，性能指标再先进，最终也要转换成有竞争力的产品，才算数。 |
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