开启辅助访问

QQ登录

只需一步,快速开始

注册 找回密码 |

迅维网

迅维网 首页 技巧 数码 查看内容

Intel 10nm工艺揭秘:2.7倍晶体管密度,首次运用贵金属钌

2018-6-14 15:43| 发布者: hcrt| 查看: 242| 评论: 0|来自: 今日头条

摘要: 英特尔已经发展了三代14nm工艺,还得再用一次,到2019年底之后才会升级Intel 10nm工艺。虽然Intel 10nm工艺技术指标再先进,最终也要转换成有竞争力的产品才算数。

  英特尔已经发展了三代14nm工艺,还得再用一次,10nm则因为良品率始终无法达到满意程度而一再推迟,到2019年底之后才会升级Intel 10nm工艺。不过10nm处理器最近已经上市了,联想Ideapad 330就运用了10nm Cannonlake架构的Core i3-8121处理器,通过分析英特尔的10nm工艺晶体管密度达到了100MTr/mm2,是14nm节点的2.7倍,而且英特尔首次运用了贵金属钌。

Intel 10nm工艺揭秘:2.7倍晶体管密度,首次运用贵金属钌


  日前,以联想Ideapad 330中的Core i3-8121处理器为例分析了Intel 10nm工艺,详细报告还没有发布,他们只公布了部分数据,Intel 10nm工艺主要创新如下:

  ·逻辑晶体管密度达到了100.8MTr/mm2,也就是每平方毫米1亿个晶体管,晶体管密度是14nm工艺的2.7倍多。

Intel 10nm工艺揭秘:2.7倍晶体管密度,首次运用贵金属钌

  英特尔之前公布的自家14nm工艺特点

·10nm FinFET运用的是第三代FinFET晶体管工艺技术

·10nm工艺的最小栅极距(gate pitch)从之前的70nm缩小到了54nm。

·10nm工艺的最小金属间距(metal pitch)从之前的52nm缩小到了36nm。

Intel 10nm工艺亮点:

·与现有10nm及即将问世的7nm工艺相比,英特尔10nm工艺具有最好的间距缩小指标

·在后端制程BEOL中首次联合运用金属铜及钌,后者是一种贵金属

·在contact及BEOL端运用了自对齐曝光方案(self-aligned patterning scheme)

规划亮点

·通过6.2-Track高密度库实现了超级缩放(Hyperscaling )

·Cell级别的COAG(Contact on active gate)技术

  关于Intel 10nm工艺的优势,之前我们也介绍过,而且英特尔CEO科赞奇也解释过他们的10nm工艺为什么难产的问题,一大原因就是他们的10nm工艺指标定的太高了,10nm工艺100MTr/mm2的晶体管密度实际上跟台积电、三星的7nm工艺差不多,性能指标再先进,最终也要转换成有竞争力的产品,才算数。



雷人

握手

鲜花

鸡蛋
2

路过

刚表态过的朋友 (2 人)

最新评论

发表评论

关闭

站长提醒 上一条 /1 下一条