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就长这样：
一是双极储存器(bipolar memory)，技术已有，但再开发很困难；二是硅栅极金属氧化物半导体储存器(silicon gate metal-oxide semiconductor memory)，可以带来芯片革命，但必须从零开始发明；三是多芯片储存器(multichip memory)，四个小储存芯片连接在一起，笨重脆弱但很便宜。 Intel的计划是哪一种能最快成熟，就做哪个产品，结果双极储存器赢了，成品就是3101，64位结构，速度是以往产品的两倍。
3101内核照 当时的巨头霍尼韦尔(Honewell)宣告计划采购一款64位SRAM，谁能做出来就买谁的，引发了储存器厂商的激烈争夺，Intel也是其中之一。 虽然3101最终未获采纳，但是Intel迈出了坚实的第一步，在硅谷冉冉升起。
3101内核照 而Intel也是全世界的的第一款微处理器4004，就是两年半之后的事情了，确切地说是1971年11月15日。
划时代的奔腾 |
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