|
EVO在很多地方有EVOLUTION进化的含义，从840Evo开始，使用SLC缓存的三星TLC固态硬盘型号就一直以EVO作为结尾，除了性能不济的650被剥夺EVO称号之外，三星最近又推出了取消EVO的850 120G。
除了保修缩水2年之外，三星850 120G依旧配备了3D TLC闪存，主控也是与850Evo一致的型号，从EVO退化而来的850 120G到底有哪些变化，能否还对得起850之名？ 
双通道固态硬盘 图
由于三星有意低调处理这块有缩水嫌疑的850系列新成员，自然也不会有主动的宣传，还好我们可以通过外媒Tom’s Hardware的测验一窥究竟。 
双通道固态硬盘 图
850 120G延续了三星风格的迷你PCB板，依然是熟悉的MGX主控，不过没有运用750Evo中使用的POP封装，而是将DRAM缓存又放归外置的形式。唯一的一颗闪存颗粒编号为K9CKGY8H5A，由于三星早已不外销颗粒，没有Datasheet信息，这颗闪存到底为何种制程完全无从得知。不过考虑到它问世的时间，有理由猜测这是一颗64层堆叠的3D TLC，为满足国内的低端入门市场，逆势选择了用新闪存做小容量，也为性能衰退埋下伏笔。 
双通道固态硬盘 图
三星在软件优化上向来功力深厚，不过即便如此850 120G的性能相比850Evo 120G依然出现显著的下滑，储存带宽表现甚至还不如2D TLC闪存的三星750Evo 120G。而从国内京东的定价来看，三星显然是想将850打造为比750Evo更高端的形象，但性能相比850Evo的显著缩水又使得它不得不脱下了EVO的外套，即便性能退步，新850 120G还是比850Evo 120G停产前的价格要贵。不管是新品还是老型号，性价比开倒车是最近一年固态硬盘的共同旋律。 
双通道固态硬盘 图
850 120G出现性能下滑的原因很简单：新制程3D闪存的单Die容量提升，不合适制造小容量产品。三星在48层堆叠的技术节点上就已经实现了256Gb的单Die容量，如果850 120G所用闪存真的是新一代64层堆叠工艺的话，单Die容量极有可能已经达到512Gb，这意味着850 120G仅有的一颗闪存颗粒中只封装有2个芯片，影响到了并发读写性能的提升。 三星选择在中国发布850 120G，主要是在闪存价格大涨的背景下填补低端装机产品空档，是总价妥协的产物。不过它449的价格并不美丽，或许只适合对三星品牌有较高认同度的人群。120G容量对于当前游戏增肥的趋势来说已显紧凑，就算不考虑单位容量价格也该选择更大的容量以免后悔。 有网友说现在的入门级固态硬盘越来越像优盘了，不仅容量像，闪存通道数量像，山寨品牌干脆就用优盘级品质的颗粒造固态。不出意外的话明年3D QLC闪存也会来了，价格回归去年水平的目标什么时候才会实现呢？
|
/1 
