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外媒:NAND闪存或将抢先用上Intel 10nm工艺

zxbai 2017-9-30 10:05


  9月27日消息 Intel前些天首次公开展示了自家最新的10nm制程工艺,并表示将在今年开始量产基于该工艺的Cannon Lake处理器!而据外媒最新消息显示,被Intel寄予厚望的10nm制程工艺或将抢先用在NAND闪存上。这究竟是怎么回事呢?


外媒:NAND闪存或将抢先用上Intel 10nm工艺


  报道称,Intel计划在自家最新的64层NAND闪存上运用最新的10nm制程工艺,至于为什么率先运用10nm工艺,业界认为相比较于处理器,NAND结构相对简单,基本上就是海量同类晶体管堆积。

  此外,前些天还有外媒放出消息称,由于Intel的10nm制程工艺出现了一些问题,代号为“Cannon Lake”的第一代10nm芯片要延迟到2018年年底才有望正式发布!对此,Intel方面显然并不认同这一报道,并表示,“Intel 10nm在2017年第四季度就可以实现投产。”那么,小伙伴们又如何看待此事呢?


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来自: 今日头条

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