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现在的SSD虽然可以通过堆叠Die层数来增大单颗粒容量，但随着层数越多，所需要的硅穿孔数目越多，制造难度直线上升，不仅良品率无法保证、生产成本也高，一些拥有深厚技术的储存厂商早就开始探索新一代非易失性储存器了。除了Intel那个未知原理的3D XPoint闪存以外，还有大热的ReRAM，这是一种以电阻值来记录数据的非易失性储存器，具有单位面积容量大、读写速度快特点，而对此研究了好些年的Mobiveil联合Crossbar将会推出基于ReRAM技术的SSD，为储存市场增添新活力。
单一忆阻器其实就是一个长条形的器件，拥有三层结构，包含有上下电极和中间的开关层，通过电极施加不一样的电压值就能改变中间的特殊结构的电阻值，从而达到储存数据功能（电阻值代表0/1或者是更多位数据）。其稳定性非常好，具备了普通闪存颗粒不具备的超宽温度耐受值，-40-125℃。一百万次读写周期后，在85℃下数据可以保持10年不消失。
另外由于其结构简单，它的主控开发也变得异常简单，现有的Mobiveil's NVMe、PCIe、DDR3/4主控可以很好地适应ReRAM架构。
所以Mobiveil与Crossbar将ReRAM的销售方向、潜在客户都与Intel 3D XPoint闪存硬盘Optane相同，并在积极开发能够平衡价格与性能的产品，带动公司的继续发展。 |
