在一般固态硬盘测评中，拆解出PCB，给主控、DRAM缓存、NAND闪存分别拍拍照就算完成了，而今天小编将探索更多，看完颗粒不过瘾，颗粒内部又是什么样子呢？
选择了一块Toshiba120G原厂固态硬盘进行拆解：四核心八通道主控、外置DRAM缓存、原厂闪存颗粒，各方面都是高规格的用料，很快它就要被破坏性拆解了！
为了方便打磨，储存极客选择了上图中右下角的闪存颗粒入手，打磨棒舞起来！几下下去闪存颗粒上的字迹就不见了。不一样于某些固态硬盘将白片打磨后打上假原厂标，这次小编要做的是将真正原厂颗粒打磨到“零件级”，看看颗粒内部到底什么样！
很快颗粒表面的一层封装材料被打磨掉，露出了内部的金属引线。这颗Toshiba闪存运用的是TSOP封装，而另外一种BGA封装的结构与此又会有很大的不一样。
在连续摧残下，闪存颗粒开始支离破碎，引线层之下露出明亮的闪存芯片：薄薄的一片，这就是从晶圆中经过层层挑选的、品质最好的原厂闪存。闪存芯片之所以要封装成颗粒运用主要有3个方面原因：固定引脚系统、保护芯片、增强散热。
这颗编号为TC58TEG7THL的Toshiba15nm TLC闪存至此被拆解回芯片状态，它采用的是单Die封装，16K Page，单个Die的RAW容量最大18.96GB，拥有多达19%的出厂冗余容量，搭配原厂固件的纠错算法，令15nm TLC闪存可发挥出高达3000次擦写的写入寿命。
文章到这里并没有结束，小编还想再谈谈Toshiba的更高级封装技术——TSV硅通孔技术。上面拆解的闪存颗粒是最简单的情况：一个闪存颗粒内部只有一颗芯片。而为了达到更高容量和更高性能，使用叠Die方式可以在单个闪存颗粒中塞入多颗闪存芯片，并通过引线将其联系起来。
除了前边的引线之外，Toshiba研究出了针对闪存运用的TSV硅通孔芯片互联技术，可将单个闪存颗粒内的芯片堆叠个数提升到16个！闪存容量得以翻倍增长，同时性能也获得了提升。
随着3D制程的引入，每个闪存小芯片内部同样是立体堆叠的结构，双重堆叠的结果就是容量的提升与再提升。
如果辅以Toshiba率先宣告的3D QLC闪存类型，使用TSV技术16Die封装，单颗闪存颗粒容量可以做到1.5TB的新高度！在指甲盖大小上实现比机械硬盘更大的容量，已经不再是天方夜谭！而这一切都要感谢Toshiba在1984年发明闪存，并在过去30多年间连续引领闪存技术的不断发展。 
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