今年下半年固态硬盘能不能降价？看这里

　　哪些新技术有助于搞定闪存供需缺口，让固态硬盘回归低价位呢？存储极客总结了有以下几点：3D制程、QLC闪存、高度集成化的迷你NVMe固态硬盘。

　　Toshiba于1987年发明了NAND闪存并在1991年将其量产，开创了闪存的世界，也为日后固态硬盘的问世创造了基础。多年来通过缩小制造工艺，闪存的容量不断增长，单位容量成本也逐渐降低。直到24nm工艺之后，工程师发现继续缩小制造工艺的空间有限了，极限可能会是10nm左右：再小的话就无法保持足够数量的电子来完成数据记录功能。扩展容量只能从平面扩张转为立体堆叠。

　　2007年6月12日三维闪存堆叠技术由Toshiba首次宣告，距今已有10年之久。而3D闪存实际使用于固态硬盘则是最近几年的事。早期的3D闪存工艺不成熟，在相当长的时间里成本比原本它希望取代的2D闪存还要高。首先宣告3D闪存的Toshiba一直没有全面使用3D工艺，而是等待技术的不断成熟。

　　直到今年，Toshiba宣告64层堆叠的BiCS 3闪存问世并投入大规模量产。3D闪存与2D闪存的成本交叉点正式到来。各家闪存原厂提出的技术细节不同，但总的来说都是尽可能堆叠更多层结构：层数越高，单位容量成本越低。

　　Toshiba已经将BiCS 3D TLC闪存使用到了最新的XG5、BG3、TR200等固态硬盘当中。

　　3D QLC横空出世，将与96层BiCS 4一同到来：

　　如果说闪存原厂全数进入3D时代的消息还不够令人振奋，Toshiba几乎在同一时间宣告了将3D QLC引入固态硬盘的计划。3D QLC将最早于2019年出现，并在2021年前占据10%左右市场。

　　对于QLC耐久度问题，其实主要关系到纠错难度的增长。在同样的电压范围内，过去MLC只需用4种电位表达2个比特，当前TLC运用8种电位表达3个比特，而QLC则将运用16种电位表达4个比特。

　　就现在的纠错技术而言，已经能在实验室中实现800PE磨损状态下数据保存6个月以上。Toshiba的目标是将3D QLC耐久度提升至1000PE可断电保存数据1年后再将其推向市场。

　　未来固态硬盘将越来越小这是毋庸置疑的，在标准M.2规格之外，ToshibaBG3固态硬盘已开发出16*20 BGA规格。

　　麻雀虽小五脏俱全，ToshibaBG3在一颗芯片当中既包含闪存又包含了主控与缓存，支持PCIE3.0接口和NVMe协议，性能比SATA固态硬盘更强。

　　借助于最新NVMe 1.3协议的Host Memory Buffer特点，BG3还能通过向系统借用内存扩展缓存容量，提升读写性能。

　　当然，新工艺的转换与新技术的使用总是需要时间来过渡，正是现在这样的窗口期，2D MLC基本停产，3D TLC初期存在一些不够有待完善，让用户在选择固态硬盘时有些无所适从。存储极客推荐近日有固态硬盘购买需要的朋友可以考虑ToshibaQ200 240G这款型号，主控8通道、原厂MLC闪存，性价比表现出色。