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for循环编写延时函数的方法

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发表于 2017-4-30 07:55:49 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式 来自: 河南洛阳 来自 河南洛阳

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很多初学者对于程序中ms级延时函数的编写方法比较疑惑,其原理和方式虽然简单,但是却没有相关资料。这里用一个例程详细介绍一下。
    过程参考如下:
    在编译器下建立一个新项目,也可以利用已有项目。此过程中需要注意,单片机晶振的选择,因为for循环里指令的执行时间和晶振有直接关系,本例中晶振使用11.0592M。 编写一段关于延时的函数,主要利用for循环,代码如下:
void delay_ms(unsigned int ms)
{
unsigned int i;
unsigned char j;
    for(i=0;i<ms;i++)
    {
        for(j=0;j<200;j++);
        for(j=0;j<102;j++);
    }

}
其中ms是输入参数,如果输入1,就是要求程序延时1ms。
j变量是调整程序运行的时间参数。调整j的数值,使1次循环的时间在1ms。
    将此程序编译通过,然后利用软件仿真,调整时间。




两次时间差就是延时函数使用的时间,如果与1ms相差比较多,用户可以调整j参数的值,使延时时间尽量接近1ms。如增大j的值for(j=0;j<105;j++);
    此方法得出延时函数,在晶振不同的情况下,延时时间会不准。另外这种方法不是完全精确的延时,所以不要太深研究误差的问题。软件调试结果,这个程序的延时时间为:1.01779ms,一般的单片机系统中都可以应用。

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发表于 2017-4-30 09:02:01 | 只看该作者 来自: 中国 来自 中国
不知道你这帖子的用意,如果要说清楚延时如何计算,应该把晶振频率计算成时间,并说明指令运行周期,是几个周期,我想用数学表达更好吧, 你这样也许简单了,但还是会很多人看不明白你这延时1MS是如何计算来的,

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