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电影大片《速度与激情8》诠释了——开快车易脱发，七大主演中四个光头的场面让人捧腹。在消费电子领域，同样上演着速度与金钱的博弈。 相比消费者熟知的摩尔定律，定义计算机几十年的冯·诺依曼结构更加不可撼动。为了填补处理器与硬盘的速度差距，我们用上了高速缓存、运行内存等不同存储介质。 随着存储行业快速的技术迭代，LPDDR4X、UFS2.1等产品纷纷面市。据外媒Patently Apple消息，MRAM有望真正商业化，MRAM将取代DRAM和NAND Flash，具有颠覆性意义。 什么是MRAM？ MRAM（Magnetoresistive random-access memory）即磁阻式随机存储器，MRAM介于DRAM和NAND Flash之间。相比于DRAM，MRAM具有非易失性；相比于NAND Flash，MRAM的速度快上1000倍。 三星在去年7月联合IBM展示了用于服务器、数据中心的MRAM，并计划在5月24日的晶圆厂论坛活动中公布全新的MRAM。三星加入了自旋转矩技术（STT），可以加大降低功耗。 MRAM的应用前景MRAM的应用前景 由于MRAM兼具DRAM和NAND Flash的特性，MRAM被认为是一种通用型存储器，MRAM能够让手机实现内存/闪存二合一。据外媒phonearena报道，三星目前无法生产出超过几兆字节MRAM，因此MRAM目前只适用于作为处理器的高速缓存。
MRAM会掀起内存革命？手机内存和运存融为一体？ 图2 如果这一愿景成真，那么我们无需区分RAM和ROM，逆天的512G/1TB内存不再是梦想。冯·诺伊曼结构将面临前所未有的挑战，未来还真是让人期待呢。 |
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