三星512GB UFS闪存正式量产,读860MB/s写255MB/s 采用三星最新64层512Gb V-NAND芯片封装堆叠,在同体积的情况下提供48层V-NAND 256GB eUFS的两倍容量。该闪存连续读取速度达到860MB/s,写入则是255MB/s,随机读取42000IOPS,写入40000 IOPS。 毫无疑问该闪存在速度上要优于传统储存卡不少,无论是在传输,还是查看移动设备内容的时候都会有不小提升。但运用512GB储存空间手机毫无疑问价格会高一些,愿意选择高速还是愿意选择便宜就看你自己了。不过随着技术的发展,随后储存卡怕是要在手机等移动设备上绝迹,毕竟我们的储存需要是在增长的,而高速闪存的发展更利于获得好体验,比如进行4K视频摄录、文件搜索等操作时。 |