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MOSFET/IGBT的开关损耗测验是电源调试中非常关键的环节，但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上，PFC MOSFET的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索，那么如何用示波器测试MOS管功率损耗？该如何量化评估呢？ 1.1 功率损耗的原理图和实测图 一般来说，开关管工作的功率损耗原理图如图 1所示，主要的能量损耗体现在“导通过程”和“关闭过程”，小部分能量体现在“导通状态”，而关闭状态的损耗很小几乎为0，可以忽视不计。
如何用示波器测试MOS管功率损耗 图1（开关管工作的功率损耗原理图）
如何用示波器测试MOS管功率损耗 图2（开关管实际功率损耗测验） 对于普通MOS管来说，不一样周期的电压和电流波形几乎完全相同，因此整体功率损耗只需要任意测量一个周期即可。但对于PFC MOS管来说，不一样周期的电压和电流波形都不相同，因此功率损耗的准确评估依赖较长时间（一般大于10ms），较高采样率（推荐1G采样率）的波形捕获，此时需要的储存深度推荐在10M以上，并且要求所有原始数据（不能抽样）都要参与功率损耗计算，实测截图如图 3所示。
如何用示波器测试MOS管功率损耗 图3（PFC MOSFET功率损耗实测截图） |
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