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如今的储存行业中，依然是NAND和DRAM的天下，NAND闪存数据储存，DRAM内存负责运行缓存。这一年，是令储存业者诧异，惊喜，无奈的一年。 NAND/DRAM连续缺货，供不应求，价格飞涨。
传统闪存数据储存NAND, DRAM面临挑战，新型储存SCM要来了 而DRAM更是夸张，一个8GB的内存条，一年时间价格翻了数倍，从一百多元，直接涨到近千元。
传统闪存数据储存NAND, DRAM面临挑战，新型储存SCM要来了 DRAM制程升级直接会造成器件储存面积减少，对晶体管的布局会提出更高的调整。 同时，闪存数据储存单元的电容减小，会导致DRAM数据刷新时间缩短，这样会导致错误bit上升，能耗升高。 闪存数据储存面积的减少还会引起bit line和word line的电阻上升，会影响储存速度。
传统闪存数据储存NAND, DRAM面临挑战，新型储存SCM要来了 NAND自从摩尔定律在2D NAND失效之后，NAND就已经开始朝向3D NAND方向发展。3D NAND，即从垂直方向增加储存层，以达到增加储存容量的目的。但是3D NAND的水平方向确实有所限制的。同时，也对ECC能力提出更高的要求。虽然，随着3D NAND的层级增加，3D NAND的单GB成本在下降，但是到一定节点之后，储存层级的增加可能并不会让单GB的成本降低。
传统闪存数据储存NAND, DRAM面临挑战，新型储存SCM要来了 SCM(Storage Class Memory)此时，SCM储存级内存结合了NAND和DRAM的优势，成功引起了业内人士的注意。
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